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ZHCSU82A December 2023 – June 2024 TPSM64404 , TPSM64406 , TPSM64406E

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RCH|28
- MPQF746

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

7.3.7 输入电容器

需要输入电容器来限制该模块中因开关频率交流电流而导致的输入纹波电压。TI 推荐使用陶瓷电容器来在宽温度范围内提供低阻抗和高 RMS 电流等级。方程式 5 给出了输入电容器 RMS 电流。最大输入电容器 RMS 电流会出现在 D = 0.5 时，这时电容器的 RMS 电流等级必须大于输出电流的一半。

方程式 5.

I_{C I N, r m s} = \sqrt{D \times ({I_{O U T}}^{2} \times (1 - D) + \frac{∆ {i_{L}}^{2}}{12})}

其中

D = V_OUT/V_IN 是模块占空比。

理想情况下，降压级输入电流的直流和交流分量分别由输入电压源和输入电容器提供。在忽略电感器纹波电流的情况下，输入电容器会在 D 间隔期间拉出幅值为 (I_OUT – I_IN) 的电流，并在 1 – D 期间灌入幅值为 I_IN 的电流。因此，输入电容器会传导峰峰值幅度等于输出电流的方波电流。因此，交流纹波电压的相应容性分量为三角波形。通过与 ESR 相关纹波分量相结合，方程式 6 可以给出峰峰值纹波电压幅值：

方程式 6.

{∆ V}_{I N} = (\frac{I_{O U T} \times D \times (1 - D)}{F_{S W} \times C_{I N}} + I_{O U T} \times R_{E S R})

方程式 7 给出了特定负载电流所需的输入电容：

方程式 7.

C_{I N} \geq (\frac{I_{O U T} \times D \times (1 - D)}{F_{S W} \times ({∆ V}_{I N} - I_{O U T} \times R_{E S R})})

其中

ΔV_IN 是输入纹波电压规格。

TPSM64406 需要至少两个 10µF 陶瓷输入电容器，最好使用 X7R 或 X7S 电介质并采用 1206 或 1210 尺寸。为了满足传导 EMI 规格，例如 CISPR 11 或 CISPR 32，应用可能需要额外的电容。

表 7-5 包含按供应商分类的首选电容器列表。为了更大限度地减小开关环路中的寄生电感，请将陶瓷输入电容器放置在靠近 VIN1 和 VIN2 引脚的对称布局中，并使用模块下方的铜接地平面将电容器返回端子连接到 PGND 引脚。

表 7-5 推荐的陶瓷输入电容器

供应商⁽¹⁾	电介质	器件型号	外壳尺寸	电容 (µF)⁽²⁾	额定电压 (V)
TDK	X7R	C3216X7R1H106K160AC	1206	10	50
Murata	X7S	GCM32EC71H106KA03K	1210	10	50
AVX	X7R	12105C106MAT2A	1210	10	50
Murata	X7R	GRM32ER71H106KA12L	1210	10	50

(1) 有关供应情况、材料成分、RoHS 和无铅状态以及本表中所列电容器的制造工艺要求，请咨询电容器供应商。请参阅第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明。

(2) 铭牌电容值（根据施加的直流电压和温度，有效值较小）。

如电源相关建议 中所述，大容量电解电容（68µF 至 100µF）提供低频滤波和并联阻尼，以减轻与低 ESR、高 Q 陶瓷输入电容器共振的输入寄生电感影响。