开关电流限值可防止器件出现高电感器电流和从电池或输入电压轨汲取过大的电流。在重负载或输出电路短路的情况下可能会出现过大的电流。如果电感器电流逐周期达到 I_LIM，则高侧 MOSFET 会关断，低侧 MOSFET 会导通，直至电感器电流斜降至低侧 MOSFET 电流限值。

当高侧 MOSFET 电流限制触发 32 次时，该器件将停止开关。在经过 128μs 的典型延迟时间后，器件会通过软启动来自动重新启动。器件会重复此模式，直到高负载条件消失。这种断续短路保护功能可降低过载条件下输入电源的电流消耗。图 9-25 展示了断续短路保护。

可以通过 CONTROL 寄存器的“启用 HICCUP”位来禁用断续短路保护。禁用断续会将过流保护更改为锁存保护。在高侧 MOSFET 电流限值触发 32 次后，器件停止开关。开关 EN 引脚，去除并重新施加输入电压，或写入 CONTROL 寄存器的“软件启用器件”位可取消器件的锁存。

低侧 MOSFET 还包含负电流限值，以防止过大的电流通过电感器流回输入端。如果超过低侧灌电流限制，低侧 MOSFET 将关闭。在这种情况下，两个 MOSFET 都会关闭，直到下一个周期开始为止。负电流限制仅在强制 PWM 模式下有效。