ZHCSUY3 August   2024 TPSM8287A12M , TPSM8287A15M

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件选项
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 I2C 接口时序特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  固定频率 DCS 控制拓扑
      2. 7.3.2  强制 PWM 和省电模式
      3. 7.3.3  精密使能
      4. 7.3.4  启动
      5. 7.3.5  开关频率选择
      6. 7.3.6  输出电压设置
        1. 7.3.6.1 输出电压设定点
        2. 7.3.6.2 输出电压范围
        3. 7.3.6.3 非默认输出电压设定点
        4. 7.3.6.4 动态电压调节 (DVS)
      7. 7.3.7  补偿 (COMP)
      8. 7.3.8  模式选择/时钟同步 (MODE/SYNC)
      9. 7.3.9  展频时钟 (SSC)
      10. 7.3.10 输出放电
      11. 7.3.11 欠压锁定 (UVLO)
      12. 7.3.12 过压锁定 (OVLO)
      13. 7.3.13 过流保护
        1. 7.3.13.1 逐周期电流限制
        2. 7.3.13.2 断续模式
        3. 7.3.13.3 限流模式
      14. 7.3.14 电源正常 (PG)
        1. 7.3.14.1 电源正常独立、主器件行为
        2. 7.3.14.2 电源正常辅助器件行为
      15. 7.3.15 遥感
      16. 7.3.16 热警告和热关断
      17. 7.3.17 堆叠操作
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 上电复位 (POR)
      2. 7.4.2 欠压锁定
      3. 7.4.3 待机
      4. 7.4.4 导通
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 串行接口说明
      2. 7.5.2 标准模式、快速模式、快速+ 模式协议
      3. 7.5.3 I2C 更新序列
      4. 7.5.4 I2C 寄存器复位
  9. 器件寄存器
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 选择输入电容器
        2. 9.2.2.2 选择目标环路带宽
        3. 9.2.2.3 选择补偿电阻器
        4. 9.2.2.4 选择输出电容器
        5. 9.2.2.5 选择补偿电容器 CComp1
        6. 9.2.2.6 选择补偿电容器 CComp2
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 使用四个 TPSM8287A1xM 并联运行的典型应用
      1. 9.3.1 设计要求
      2. 9.3.2 详细设计过程
        1. 9.3.2.1 选择输入电容器
        2. 9.3.2.2 选择目标环路带宽
        3. 9.3.2.3 选择补偿电阻器
        4. 9.3.2.4 选择输出电容器
        5. 9.3.2.5 选择补偿电容器 CComp1
        6. 9.3.2.6 选择补偿电容器 CComp2
      3. 9.3.3 应用曲线
    4. 9.4 电源相关建议
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

器件寄存器

表 8-1 列出了器件寄存器。表 8-1 中未列出的所有寄存器地址都应视为保留的位置,并且不得修改寄存器内容。

表 8-1 器件寄存器
地址首字母缩写词寄存器名称部分
0hVSET输出电压设定点前往
1hCONTROL1控制 1前往
2hCONTROL2控制 2前往
3hCONTROL3控制 3前往
4hSTATUS状态前往

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表 8-2 展示了适用于此部分中访问类型的代码。

表 8-2 器件访问类型代码
访问类型代码说明
读取类型
RR读取
写入类型
WW写入
复位或默认值
- n复位后的值或默认值

8.1 VSET 寄存器(地址 = 0h)[复位 = X]

图 8-1 展示了 VSET,表 8-3 中对此进行了介绍。

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该寄存器控制输出电压设定点

图 8-1 VSET 寄存器
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VSET
R/W-X
表 8-3 VSET 寄存器字段说明
字段类型复位说明
7-0VSETR/WX输出电压设定点(另请参阅 CONTROL2 寄存器中的范围设置位)。
范围 1:输出电压设定点 = 0.4V + VSET[7:0] × 1.25mV
范围 2:输出电压设定点 = 0.4V + VSET[7:0] × 2.5mV
范围 3:输出电压设定点 = 0.4V + VSET[7:0] × 5mV
范围 4:输出电压设定点 = 0.8V + VSET[7:0] × 10mV
上电期间 VSETx 引脚的状态决定了复位值。

(请参阅表 7-2)。

8.2 CONTROL1 寄存器(地址 = 1h)[复位 = 2Ah]

图 8-2 展示了 CONTROL1,表 8-4 中对此进行了介绍。

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该寄存器控制各种器件配置选项

图 8-2 CONTROL1 寄存器
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复位SSCENSWENFPWMENDISCHENHICCUPENVRAMP
R/W-0bR/W-0bR/W-1bR/W-0bR/W-1bR/W-0bR/W-10b
表 8-4 CONTROL1 寄存器字段说明
字段类型复位说明
7复位R/W0b复位器件。
0b = 无效
1b = 将所有寄存器复位为默认值。

器件随后执行另一个初始化。
读取该位始终返回 0。

6SSCENR/W0b启用展频时钟。
0b = 禁用 SSC 运行
1b = 启用 SSC 运行
5SWENR/W1b启用软件。
0b = 禁用开关(保留寄存器值)
1b = 启用开关(无启用延迟 td(EN)1
4FPWMENR/W0b启用强制 PWM。
0b = 启用省电运行
1b = 启用强制 PWM 运行
该位与 MODE/SYNC 引脚进行逻辑或运算:如果向 MODE/SYNC 引脚施加高电平或同步时钟,则无论该位的状态如何,器件都会以强制 PWM 模式运行。
3DISCHENR/W1b启用输出放电。
0b = 禁用输出放电。
1b = 启用输出放电。
2HICCUPENR/W0b启用断续运行。
0b = 禁用断续运行
1b = 启用断续运行。请勿在堆叠运行期间启用断续运行
1-0VRAMPR/W10b从一个输出电压设置切换到另一个输出电压设置时的输出电压变化速度。
00b = 10mV/µs
01b = 5mV/µs
10b = 1.25mV/µs
11b = 0.5mV/µs

8.3 CONTROL2 寄存器(地址 = 2h)[复位 = X]

图 8-3 展示了 CONTROL2,表 8-5 中对此进行了介绍。

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该寄存器控制各种器件配置选项

图 8-3 CONTROL2 寄存器
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RESERVEDVRANGESSTIME
R-0000bR/W-XR/W-01b
表 8-5 CONTROL2 寄存器字段说明
字段类型复位说明
7-4RESERVEDR0000b保留供将来使用。为了确保与未来器件型号兼容,请将这些位编程为 0。
3-2VRANGER/WX输出电压范围。
00b = 0.4V 至 0.71875V,步长为 1.25mV
01b = 0.4V 至 1.0375V,步长为 2.5mV
10b = 0.4V 至 1.675V,步长为 5mV
11b = 0.8V 至 3.35V,步长为 10mV。

上电期间 VSETx 引脚的状态决定了复位值。请参阅表 7-2

1-0SSTIMER/W01b软启动斜坡时间。
00b = 0.5ms
01b = 1ms
10b = 2ms
11b = 4ms

8.4 CONTROL3 寄存器(地址 = 3h)[复位 = 0h]

图 8-4 展示了 CONTROL3,表 8-6 中对此进行了介绍。

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该寄存器控制各种器件配置选项

图 8-4 CONTROL3 寄存器
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RESERVEDSINGLEPGBLNKDVS
R-000000bR/W-0bR/W-0b
表 8-6 CONTROL3 寄存器字段说明
字段类型复位说明
7-2RESERVEDR000000b保留供将来使用。为了确保与未来器件型号兼容,请将这些位编程为 0。
1SINGLER/W0b单器件运行。该位控制内部 EN 下拉和 SYNC_OUT 功能。
0b = 使能 EN 引脚下拉和 SYNC_OUT。


1b = 禁用 EN 引脚下拉和 SYNC_OUT。请勿在堆叠运行期间使用。在独立运行模式下,将 IQ_VIN 典型值增加 200μA。

0PGBLNKDVSR/W0bDVS 期间的电源正常状态消隐。
0b = PG 引脚反映窗口比较器的输出
1b = PG 引脚在 DVS 期间处于高阻抗状态

8.5 STATUS 寄存器(地址 = 4h)[复位 = 2h]

图 8-5 展示了 STATUS,表 8-7 中对此进行了介绍。

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该寄存器返回器件状态标志

图 8-5 STATUS 寄存器
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RESERVEDHICCUPILIMTWARNTSHUTPBUVPBOV
R-00bR-0bR-0bR-0bR-0bR-1bR-0b
表 8-7 STATUS 寄存器字段说明
字段类型复位说明
7-6RESERVEDR00b保留供将来使用。为确保与未来器件型号兼容,请忽略这些位。
5HICCUPR0b断续。该位报告自上次读取 STATUS 寄存器以来是否发生断续事件。
0b = 未发生断续事件
1b = 发生了断续事件
4ILIMR0b电流限制。该位报告自上次读取 STATUS 寄存器以来是否发生电流限制事件。
0b = 未发生电流限制事件
1b = 发生了电流限制事件
3TWARNR0b热警告。该位报告自上次读取 STATUS 寄存器以来是否发生热警告事件。
0b = 未发生热警告事件
1b = 发生了热警告事件
2TSHUTR0b热关断。该位报告自上次读取 STATUS 寄存器以来是否发生关断事件。
0b = 未发生热关断事件
1b = 发生了热关断事件
1PBUVR1b电源不良欠压。该位报告自上次读取 STATUS 寄存器以来是否发生了电源不良事件(输出电压过低)。
0b = 未发生电源不良欠压事件
1b = 发生了电源不良欠压事件
0PBOVR0b电源不良过压。该位报告自上次读取 STATUS 寄存器以来是否发生了电源不良事件(输出电压过高)。
0b = 未发生电源不良过压事件
1b = 发生了电源不良过压事件