TPSM843A26 使用输入电压、占空比和低侧 FET 电流信息来生成内部斜坡。斜坡幅度由内部斜坡生成电容器 C_RAMP 确定。可以通过 MSEL 引脚上连接至 AGND 的电阻器为 C_RAMP 选择三个不同值（请参阅节 7.3.9）。电容器选项为 1pF、2pF 和 4pF。较大的斜坡电容器会导致较小的斜坡幅度，从而导致较高的控制环路带宽。下图显示了环路如何随图 8-1 中原理图的每个斜坡设置而变化。

许多应用在 4pF 的 C_RAMP 值下表现出色，但是，用户必须测量环路增益和相位，才能确定特定应用的理想 C_RAMP 值。

1. 首先，使用方程式 5 和表 7-4 计算 RAMP 时间常数。
   方程式 5. ${\mathrm{\tau }}_{\mathrm{C}\mathrm{R}\mathrm{A}\mathrm{M}\mathrm{P}}=\frac{{\mathrm{C}}_{\mathrm{R}\mathrm{A}\mathrm{M}\mathrm{P}}\mathrm{ }\times \mathrm{ }{10}^6}{\mathrm{L}\mathrm{o}\mathrm{o}\mathrm{k}\mathrm{u}\mathrm{p}1\mathrm{ }-\mathrm{ }\mathrm{L}\mathrm{o}\mathrm{o}\mathrm{k}\mathrm{u}\mathrm{p}2\mathrm{ }\mathrm{ }\times \mathrm{ }\mathrm{ }\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{O}\mathrm{U}\mathrm{T}}}{{\mathrm{V}}_{\mathrm{I}\mathrm{N}}}}$
   表 7-4 RAMP 选择查找值

   fSW (kHz)	查找 1 值	查找 2 值
   500	0.372	0.297
   750	0.548	0.445
   1000	0.719	0.594
   1500	1.04	0.891
   2200	1.46	1.31

2. 接下来，计算 RAMP 电容器电压以确保为 C_RAMP 选择的电容器不会导致大于 1.25V 的斜坡幅度，从而确保斜坡在负载瞬态期间不会饱和接地。
   方程式 6. ${\mathrm{V}}_{\mathrm{C}\mathrm{R}\mathrm{A}\mathrm{M}\mathrm{P}}=\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{I}\mathrm{N}}\mathrm{ }\times {\mathrm{ }(\mathrm{t}}_{\mathrm{O}\mathrm{N}}\mathrm{ }+\mathrm{ }\mathrm{100ns})}{{\mathrm{\tau }}_{\mathrm{C}\mathrm{R}\mathrm{A}\mathrm{M}\mathrm{P}}}$

• 较大的 C_RAMP 电容会导致最高环路增益。
• 较小的 C_RAMP 电容需要较少的输出电容器，并导致更高的交叉频率。

图 7-6 和图 7-7 显示了环路如何随节 8 中原理图的每个斜坡设置而变化。

图 7-6 环路增益与斜坡设置

图 7-7 环路相位与斜坡设置