TPSM843B22 可以在较高输入电压下降低高侧 MOSFET 栅极驱动强度，更大限度地提高典型输入电压下的效率，同时可以减少振铃，提高较高输入电压下的可靠性。当输入电压超过上升阈值（通常为 16V）时，高侧栅极驱动强度会减弱以减少振铃。该器件将在此降低的电平下运行，直到输入电压低于下降阈值（通常为 15.5V）。当高侧 MOSFET 栅极驱动强度受到限制时，转换器效率将降低。