ZHCSX91 October 2024 TSD12C-Q1 , TSD15C-Q1 , TSD18C-Q1 , TSD24C-Q1
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||
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VRWM | 反向关断电压 | IIO < 10nA,在工作温度范围内 | 12 | V | |||
VBRR | 击穿电压 | IIO = 10mA,IO 至 GND 和 GND 至 IO | 13.2 | 15.6 | 19 | V | |
ILEAK | 反向漏电流 | VIO = 12V,IO 至 GND 或 GND 至 IO | 5 | 10 | nA | ||
VCLAMP | 浪涌钳位电压,tp = 8/20µs (2) | IPP = 1A,IO 至 GND 或 GND 至 IO | 18.5 | V | |||
IPP = 5 A,IO 至 GND 或 GND 至 IO | 21 | V | |||||
IPP = 15 A,IO 至 GND 或 GND 至 IO | 26 | V | |||||
TLP 钳位电压,tp = 100ns | IPP = 16A,IO 至 GND 或 GND 至 IO | 19.4 | V | ||||
RDYN | 动态电阻(3) | IO 至 GND | 0.15 | Ω | |||
GND 至 IO | |||||||
CL | 线路电容 | VIO = 0V;ƒ = 1MHz,IO 至 GND | 6.5 | 8 | pF |