ZHCSX91 October 2024 TSD12C-Q1 , TSD15C-Q1 , TSD18C-Q1 , TSD24C-Q1
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VRWM | 反向关断电压 | IIO < 50nA，在工作温度范围内 | 36 | V | ||
| VBR | 击穿电压 | IIO = 10mA，I/O 至 GND 和 GND 至 I/O | 37.8 | 41.2 | 44.2 | V |
| ILEAK | 反向漏电流 | VIO = 36V，IO 至 GND 或 GND 至 IO | 5 | 10 | nA | |
| VCLAMP | 浪涌钳位电压，tp = 8/20µs (2) | IPP = 1A，IO 至 GND 或 GND 至 IO | 47 | V | ||
| IPP = 5 A，IO 至 GND 或 GND 至 IO | 64 | V | ||||
| IPP = 6.5A，IO 至 GND 或 GND 至 IO | 71 | V | ||||
| TLP 钳位电压，tp = 100ns | IPP = 16A，IO 至 GND 或 GND 至 IO | 56 | V | |||
| RDYN | 动态电阻 (3) | IO 至 GND | 0.6 | Ω | ||
| GND 至 IO | ||||||
| CL | 线路电容 | VIO = 0V；ƒ = 1MHz，IO 至 GND | 4.3 | 6 | pF | |