ZHCSSA4C June 2023 – October 2024 TSD05C , TSD12C , TSD15C , TSD18C , TSD24C , TSD36C
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VRWM | 反向关断电压 | IIO < 50nA，在工作温度范围内 | -5.5 | 5.5 | V | ||
| VBR | 击穿电压 | IIO = 1mA，IO 至 GND 和 GND 至 IO | 7 | 8 | 9 | V | |
| ILEAK | 反向漏电流 | VIO = 5.5V，IO 至 GND 或 GND 至 IO | 5 | 10 | nA | ||
| VCLAMP | 浪涌钳位电压，tp = 8/20µs (2) | IPP = 24A，IO 至 GND 或 GND 至 IO | 10.7 | 13.8 | V | ||
| IPP = 30 A，IO 至 GND 或 GND 至 IO | 11.5 | 15 | V | ||||
| TLP 钳位电压，tp = 100ns | IPP = 16A，IO 至 GND 或 GND 至 IO | 9.3 | V | ||||
| RDYN | 动态电阻 (3) | IO 至 GND | 0.15 | Ω | |||
| GND 至 IO | |||||||
| CL | 线路电容 | VIO = 0V；ƒ = 1MHz，IO 至 GND | 4 | 7 | pF | ||