ZHCSWK4B
June 2024 – November 2024
TUSB2E221
PRODMIX
1
1
特性
2
应用
3
说明
4
器件型号
5
引脚配置和功能
6
规格
6.1
绝对最大额定值
6.2
ESD 等级
6.3
建议运行条件
6.4
热性能信息
6.5
电气特性
6.6
开关特性
6.7
时序要求
6.8
典型特性
7
参数测量信息
8
详细说明
8.1
概述
8.2
功能方框图
8.3
特性说明
8.3.1
USB 2.0
8.3.2
eUSB2
8.3.3
交叉多路复用器
8.4
器件功能模式
8.4.1
中继器模式
8.4.2
断电模式
8.4.3
UART 模式
8.4.4
自动恢复 ECR
8.4.5
L2 状态中断模式
8.4.6
连接检测中断模式
8.4.7
GPIO 模式
8.4.7.1
EQ0 作为 GPIO0
8.4.7.2
EQ1 作为 GPIO1
8.4.7.3
EQ2/INT 作为 GPIO2
8.4.8
CROSS
8.4.9
USB 2.0 高速主机断开检测
8.4.10
基于帧的低功耗模式
8.5
编程
8.5.1
I2C 目标接口
8.5.2
寄存器访问协议 (RAP)
9
寄存器映射
9.1
TUSB2E221 寄存器
10
应用和实施
10.1
应用信息
10.2
典型应用:双端口系统
10.2.1
设计要求
10.2.2
详细设计过程
10.2.2.1
eUSB PHY 设置建议
10.2.3
应用曲线
10.3
电源相关建议
10.3.1
加电复位
10.4
布局
10.4.1
布局指南
10.4.2
示例布局
11
器件和文档支持
11.1
文档支持
11.1.1
相关文档
11.2
接收文档更新通知
11.3
支持资源
11.4
商标
11.5
静电放电警告
11.6
术语表
12
修订历史记录
13
机械、封装和可订购信息
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
YCG|25
MXBG410
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
zhcswk4b_oa
10.4.1
布局指南
将电源旁路电容器尽可能靠近 VDD1V8 和 VDD3V3 引脚放置,并避免将旁路电容器放置在 eDP/eDN 和 DP/DN 迹线附近。
使用较少的过孔和拐角路由高速 USB 信号可减少信号反射和阻抗变化。当必须使用过孔时,增加过孔周边的间隙尺寸以降低电容。每一过孔均为信号的传输线引入了非连续性,并增加了电路板其他层的干扰几率。在设计双绞线上的测试点时须小心;不推荐穿孔引脚的方式。
当不得不采取 90°弯折走线时,以两个 45°弯折或圆弧形的走线替代单个 90°的弯折。以通过大大减少阻抗不连续性来减少信号迹线上反射。
不要将 USB 迹线布置在晶振、振荡器、时钟信号发生器、开关稳压器、安装孔、磁性器件或使用、复制时钟信号的集成电路 (IC) 以下或靠近这些器件。
避免因高速 USB 信号上的残桩而引起信号的反射。如果残桩无法避免,则残桩必须短于 200mil。
通过连续 GND 平面实现无断高速 USB 信号迹线。
避免层分割中常见的交叉分隔覆铜问题。
由于 USB 具有相关的高频特性,因此所推荐的印刷电路板至少为 4 层;两个信号层划分为接地层及电源层,如
图 10-3
所示。
图 10-3
四层板堆叠
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