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ZHCSSB8B june 2008 – june 2023 TXB0104-Q1

PRODUCTION DATA

6.16 工作特性

T_A = 25°C ⁽¹⁾

参数		测试条件	V_CCA							单位
			1.2V	1.2V	1.5V	1.8V	2.5V	2.5V	3.3V
			V_CCB
			5V	1.8V	1.8V	1.8V	2.5V	5V	3.3V 至 5V
			典型值	典型值	典型值	典型值	典型值	典型值	典型值
C_pdA	A 端口输入，B 端口输出	C_L = 0，f = 10MHz， t_r = t_f = 1ns， OE = V_CCA （输出已启用）	7.8	10	9	8	8	8	9	pF
C_pdA	B 端口输入，A 端口输出		12	11	11	11	11	11	11
C_pdB	A 端口输入，B 端口输出		38.1	28	28	28	29	29	29
C_pdB	B 端口输入，A 端口输出		25.4	19	18	18	19	21	22
C_pdA	A 端口输入，B 端口输出	C_L = 0，f = 10MHz， t_r = t_f = 1ns， OE = GND （输出已启用）	0.01	0.01	0.01	0.01	0.01	0.01	0.01	pF
C_pdA	B 端口输入，A 端口输出		0.01	0.01	0.01	0.01	0.01	0.01	0.01
C_pdB	A 端口输入，B 端口输出		0.01	0.01	0.01	0.01	0.01	0.01	0.03
C_pdB	B 端口输入，A 端口输出		0.01	0.01	0.01	0.01	0.01	0.01	0.04

(1) CPD 参数是用于根据公式确定 CMOS 器件每个逻辑函数的空载动态功率耗散的电容：P_D = C_pd (V_CC)² + I_CCV_CC。有关使用 C_pd 计算功率耗散的更多详细信息，请参阅 SCAA035。