图 7-1 显示了此应用在推挽和开漏模式下所需的半缓冲架构设计。该应用使用边沿速率加速器电路（适用于高到低和低到高边沿）、高导通电阻 N 沟道导通栅极晶体管（约为 300Ω 至 500Ω）以及上拉电阻器（用来提供直流偏置和驱动能力）来满足这些要求。该设计不需要方向控制信号来控制从 A 到 B 或从 B 到 A 的数据流方向。最终的实现支持低速开漏操作和高速推挽操作。

图 7-1 TXS0108E-Q1 单元的架构

从 A 端口向 B 端口传输数据时，在上升沿期间，单稳态电路 (OS3) 会在短时间内开启 PMOS 晶体管 (P2)，从而缩短从低电平到高电平的转换时间。类似地，从 A 向 B 传输数据时，在下降沿期间，单稳态电路 (OS4) 会在短时间内开启 N 沟道 MOSFET 晶体管 (N2)，从而加快高电平至低电平转换。B 端口边沿速率加速器由单稳态电路 OS3 和 OS4、晶体管 P2 和 N2 组成，用于根据在 A 端口上检测到的高电平或低电平快速强制 B 端口进行相应的转换。

从 B 端口向 A 端口传输数据时，在上升沿期间，单稳态电路 (OS1) 会在短时间内开启 PMOS 晶体管 (P1)，从而缩短低电平至高电平的转换时间。类似地，从 B 向 A 传输数据时，在下降沿期间，单稳态电路 (OS2) 会在短时间内开启 NMOS 晶体管 (N1)，从而加快高电平至低电平转换。A 端口边沿速率加速器由单稳态电路 OS1 和 OS2、晶体管 P1 和 N1 元件以及边沿速率加速器组成，用于根据在 B 端口上检测到的高电平或低电平快速强制 A 端口进行相应的转换。