ZHCSE13K December 2007 – April 2024 TXS0108E
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 应用
- 3 说明
- 4 引脚配置和功能
-
5 规格
- 5.1 绝对最大额定值
- 5.2 ESD 等级
- 5.3 建议运行条件
- 5.4 热性能信息
- 5.5 电气特性：TA = –40°C 至 85°C
- 5.6 时序要求：VCCA = 1.5V ± 0.1V
- 5.7 时序要求：VCCA = 1.8V ± 0.15V
- 5.8 时序要求：VCCA = 2.5V ± 0.2V
- 5.9 时序要求：VCCA = 3.3V ± 0.3V
- 5.10 开关特性：VCCA = 1.5V ± 0.1V
- 5.11 开关特性：VCCA = 1.8V ± 0.15V
- 5.12 开关特性：VCCA = 2.5V ± 0.2V
- 5.13 开关特性：VCCA = 3.3V ± 0.3V
- 5.14 工作特性：VCCA = 1.5V 至 1.5V，VCCB = 3.3V 至 3.3V
- 5.15 典型特性
- 6 参数测量信息
- 7 详细说明
- 8 应用和实施
- 9 器件和文档支持
- 10修订历史记录
- 11机械、封装和可订购信息
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
7.3.1 架构
图 7-1 显示了此应用在推挽和开漏模式下所需的半缓冲架构设计。该应用使用边沿速率加速器电路（适用于高到低和低到高边沿）、高导通电阻 N 沟道导通栅极晶体管（约为 300Ω 至 500Ω）以及上拉电阻器（用来提供直流偏置和驱动能力）来满足这些要求。该设计不需要方向控制信号来控制从 A 到 B 或从 B 到 A 的数据流方向。最终的实现支持低速开漏操作和高速推挽操作。
图 7-1 TXS0108E 单元的架构从 A 端口向 B 端口传输数据时，在上升沿期间，单稳态电路 (OS3) 会在短时间内开启 PMOS 晶体管 (P2)，从而缩短从低电平到高电平的转换时间。类似地，从 A 向 B 传输数据时，在下降沿期间，单稳态电路 (OS4) 会在短时间内开启 N 沟道 MOSFET 晶体管 (N2)，从而加快高电平至低电平转换。B 端口边沿速率加速器由单稳态电路 OS3 和 OS4、晶体管 P2 和 N2 组成，用于根据在 A 端口上检测到的高电平或低电平快速强制 B 端口进行相应的转换。
从 B 端口向 A 端口传输数据时，在上升沿期间，单稳态电路 (OS1) 会在短时间内开启 PMOS 晶体管 (P1)，从而缩短低电平至高电平的转换时间。类似地，从 B 向 A 传输数据时，在下降沿期间，单稳态电路 (OS2) 会在短时间内开启 NMOS 晶体管 (N1)，从而加快高电平至低电平转换。A 端口边沿速率加速器由单稳态电路 OS1 和 OS2、晶体管 P1 和 N1 元件以及边沿速率加速器组成，用于根据在 B 端口上检测到的高电平或低电平快速强制 A 端口进行相应的转换。