6 引脚配置和功能

图 6-1 DWN 封装，36 引脚 SSOP（顶视图）

表 6-1 引脚功能

引脚		类型⁽¹⁾	说明
名称	编号	类型⁽¹⁾	说明
GNDP	1、2、5、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18	G	VIN 的初级侧接地连接。引脚 1、2 和 5 是模拟地。引脚 8、9、10、11、12、13、14、15、16、17 和 18 是电源地。在覆铜上放置几个过孔以进行散热。请参阅布局指南部分。
PG	3	O	低电平有效电源正常开漏输出引脚。当 (V_{VIN_UVLOP} ≤ V_VIN ≤ V_{VIN_OVLOP})、(V_{VDD_UVP} ≤ V_FBVDD ≤ V_{VDD_OVP})、(V_{VEE_UVP} ≤ V_FBVEE ≤ V_{VEE_OVP})、T_{J_Primary} ≤ TSHUTP_{PRIMARY_RISE} 和 T_{J_secondary} ≤ TSHUTS_{SECONDARY_RISE} 时，PG 保持低电平
ENA	4	I	启用引脚。强制 ENA 为低电平会禁用器件。上拉至高电平以启用正常的器件功能。建议最大值为 5.5V。
VIN	6、7	P	初级输入电压。引脚 6 用于模拟输入，引脚 7 用于电源输入。对于引脚 7，将两个 10µF 陶瓷电容器从电源 VIN 引脚 7 连接到电源 GNDP 引脚 8。在引脚 7 和引脚 8 附近连接一个 0.1µF 高频旁路陶瓷电容器。
VEE	19、20、21、22、23、24、25、26、27、30、31、36	G	用于 VDD 和 COM 的次级侧参考连接。VEE 引脚用于高电流返回路径。
VDD	28、29	P	来自变压器的次级侧隔离式输出电压。在 VDD 和 VEE 之间连接一个 10µF 和一个并联的 0.1µF 陶瓷电容。0.1µF 陶瓷电容是高频旁路，必须靠近 IC 引脚。
RLIM	32	P	第二个次级侧隔离式输出电压电阻，用于限制从 VDD 到 COM 节点的拉电流和从 COM 到 VEE 的灌电流。在 RLIM 和 COM 之间连接一个电阻以调节 (COM – VEE) 电压。有关更多详情，请参阅 R_LIM 电阻器选型。
FBVEE	33	I	反馈 (COM – VEE) 输出电压检测引脚用于调整输出 (COM – VEE) 电压。在 COM 和 VEE 之间连接一个电阻分压器，使中点连接到 FBVEE，调节时的等效 FBVEE 电压为 2.5V。在低侧反馈电阻并联一个 330pF 陶瓷电容，用于高频去耦。用于高频旁路的 330pF 陶瓷电容器必须紧挨着顶层或底层（两层通过过孔连接）的 FBVEE 和 VEEA IC 引脚。
FBVDD	34	I	反馈 (VDD – VEE) 输出电压检测引脚用于调整输出 (VDD – VEE) 电压。在 VDD 和 VEE 之间连接一个电阻分压器，使中点连接到 FBVDD，调节时的等效 FBVDD 电压为 2.5V。在低侧反馈电阻并联一个 330pF 陶瓷电容，用于高频去耦。用于高频旁路的 330pF 陶瓷电容器必须紧挨着顶层或底层（两层通过过孔连接）的 FBVDD 和 VEEA IC 引脚。
VEEA	35	G	用于噪声敏感模拟反馈输入、FBVDD 和 FBVEE 的次级侧模拟检测参考连接。将低侧反馈电阻和高频去耦滤波电容连接到靠近 VEEA 引脚和各自的反馈引脚 FBVDD 或 FBVEE。连接到次级侧栅极驱动最低电压基准 VEE。使用单点连接并将高频去耦陶瓷电容器靠近 VEEA 引脚放置。请参阅布局指南部分。

(1) P = 电源，G = 地，I = 输入，O = 输出