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ZHCSQ20A August 2023 – September 2023 UCC14130-Q1

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

DWN|36
- MPSS132

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcsq20a_oa

7.6 电气特性

在工作温度范围 (–40°C ≤ T_J ≤ 150°C) 内，8V ≤ V_VIN ≤ 18V，C_IN = 20µF，C_OUT = 10µF，V_ENA= 5V，R_LIM = 1kΩ，除非另有说明。T_J = 25°C 且 V_VIN = 12V 时的所有典型值。

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
输入电源（初级侧，所有电压均以 GNDP 为基准）
V_VIN	输入电压范围⁽¹⁾	初级侧输入电压至 GNDP，1W 输出功率	8	12	18	V
I_{VINQ_OFF}	VIN 静态电流，已禁用	V_ENA = 0V；V_VIN =8V 至 18V			600	µA
I_{VIN_ON_NO_LOAD}	VIN 工作电流，已启用，空载	V_ENA = 5V；V_VIN = 8V 至 18V；(VDD-VEE) = 12V 调节；I_VDD-VEE = 0mA			40	mA
I_{VIN_ON_FULL_LOAD}	VIN 工作电流，已启用，满载	V_ENA = 5V；V_VIN = 10V 至 18V；(VDD-VEE) = 12V 调节；I_VDD-VEE = 83mA		200		mA
I_{VIN_ON_FULL_LOAD}	VIN 工作电流，已启用，满载	V_ENA = 5V；V_VIN = 10.8V 至 13.2V；(VDD-VEE) = 12V 调节；I_VDD-VEE = 125mA		270		mA
UVLOP 比较器（初级侧，所有电压均以 GNDP 为基准）
V_{VIN_UVLOP_RISING}	VIN 欠压锁定上升阈值	VIN 上升	7.8	8.2	8.5	V
V_{VIN_ UVLOP_FALLING}	VIN 欠压锁定下降阈值	VIN 下降	7	7.4	7.7	V
OVLO 比较器（初级侧，所有电压均以 GNDP 为基准）
V_{VIN_OVLO_RISE}	VIN 过压锁定上升阈值	VIN 上升	20.9	22	23.1	V
V_{VIN_OVLO_FALLING}	VIN 过压锁定下降阈值	VIN 下降	19	20	21	V
热关断（初级侧）
TSHUTP_{PRIMARY_RISE}	初级侧过热关断上升阈值	首次上电时，Tj 需要低于 140°C 才能启用	150	160	170	°C
TSHUTP_{PRIMARY_HYST}	初级侧过热关断迟滞		15	20	25	°C
ENA 输入引脚（初级侧，所有电压均以 GNDP 为基准）
V_{EN_IR}	输入电压上升阈值，逻辑高电平	上升沿			2.1	V
V_{EN_IF}	输入电压下降阈值，逻辑低电平	下降沿	0.8			V
I_EN	使能引脚输入电流	V_EN = 5.0V		5	18	µA
POWERGOOD（初级侧，所有电压均以 GNDP 为基准）
V_{PG_OUT_LO}	PG 输出低饱和电压	灌电流 = 5mA，电源正常			0.5	V
I_{PG_OUT_HI}	PG 漏电流	V_PG = 5.5V，电源不正常			5	µA
初级侧控制（初级侧，所有电压均以 GNDP 为基准）
F_SW	开关频率	V_VIN = 12V；V_ENA = 5V；(VDD-VEE) = 12V		20.5		MHz
F_SSM	展频调制 (SSM) 三角波形的频率	仅在初级侧启动期间，在 VIN 高于 UVLOP 且 ENA 为高电平之后启动；F_{SS_BURST_P} = 1/8µs = 125kHz		90		kHz
F_CARRIER 的 SSM 百分比变化	三角波形展频调制 (SSM) 期间载波频率的 SSM 百分比变化	仅在初级侧启动期间，在 VIN 高于 UVLOP 且 ENA 为高电平之后启动；F_{SS_BURST_P} = 1/8µs = 125kHz		5		%
t_{SOFT_START_TIME_OUT}	初级侧软启动超时	当 VIN 高于 UVLOP 且 ENA 为高电平时计时器开始工作，当电源正常引脚指示正常时复位		28.4		ms
VDD 输出电压（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{VDD_RANGE}	(VDD-VEE) 输出电压范围		10		18	V
V_{VDD_DC_ACCURACY}	(VDD-VEE) 输出电压直流调节精度	次级侧 (VDD-VEE) 输出电压，在负载、线性变化和温度范围内，通过外部电阻分压器进行外部调节	-1.3		1.3	%
VDD 调节（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{FBVDD_REF}	(VDD-VEE) 的反馈调节基准电压	(VDD-VEE) 稳压输出	2.4675	2.5	2.5325	V
COM 输出电压（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{VEE_RANGE}	(COM-VEE) 输出电压范围	次级侧 (COM-VEE)，通过外部电阻分压器进行调节	2.5		(VDD – VEE)	V
V_{VEE_DC_ACURACY}	(COM-VEE) 输出电压直流调节精度	次级侧 (COM-VEE) 输出电压，在负载、线性变化和温度范围内，通过外部电阻分压器进行外部调节	–1.3		1.3	%
COM 调节（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{FBVEE_REF}	(COM-VEE) 的反馈调节基准电压	(COM-VEE) 稳压输出	2.4675	2.5	2.5325	V
V_{RLIM_SHORT_CHRG_CMP_RISE}	用于退出 PWM 的 RLIM 短路充电比较器上升阈值	上升阈值		0.73		V
t_{RLIM_SHORT_CHRG_ON_TIME}	RLIM 引脚短路充电 PWM 模式期间的导通时间	RLIM 引脚 < 0.645V，而 FBVEE 引脚 < 2.48V		1.2		us
t_{RLIM_SHORT_CHRG_OFF_TIME}	RLIM 引脚短路充电 PWM 模式期间的关断时间	RLIM 引脚 < 0.645V，而 FBVEE 引脚 < 2.48V		5		us
VDD UVLOS 比较器（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{VDD_UVLO_RISE}	(VDD-VEE) 欠压锁定上升阈值	FBVDD 处的电压		0.9		V
V_{VDD_UVLO_HYST}	(VDD-VEE) 欠压锁定迟滞	FBVDD 处的电压		0.2		V
VDD OVLOS 比较器（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{VDD_OVLOS_RISE}	(VDD-VEE) 过压锁定上升阈值	电压范围为 VDD 至 VEE，上升	29.45	31	32.55	V
V_{VDD_OVLOS_FALL}	(VDD-VEE) 过压锁定下降阈值	电压范围为 VDD 至 VEE，下降	27.55	29	30.45	V
软启动（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
t_blankout	软启动后、PG 之前，(VDD-VEE) UVP 和 (COM-VEE) UVP 及 OVP 的消隐时间			3		ms
(VDD – VEE) UVP，欠压保护（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{VDD_UVP_RISE}	(VDD-VEE) 欠压保护上升阈值，V_UVP = V_REF × 90%		2.175	2.25	2.3	V
V_{VDD_UVP_HYST}	(VDD-VEE) 欠压保护迟滞			25		mV
(VDD – VEE) OVP，过压保护（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{VDD_OVP_RISE}	(VDD – VEE) 过压保护上升阈值，V_OVP = V_REF×110%		2.7	2.75	2.825	V
V_{VDD_OVP_HYST}	(VDD-VEE) 过压保护迟滞			25		mV
(COM-VEE) UVP，欠压保护（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{VEE_UVP_RISE}	(COM-VEE) 欠压保护上升阈值，V_UVP = V_REF × 90%		2.175	2.25	2.3	V
V_{VEE_UVP_HYST}	(COM-VEE) 欠压保护迟滞			25		mV
(COM-VEE) OVP，过压保护（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{VEE_OVP_RISE}	(COM-VEE) 过压保护上升阈值，V_OVP = V_REF × 110%		2.7	2.75	2.825	V
V_{VEE_OVP_HYST}	(COM-VEE) 过压保护迟滞			25		mV
热关断（次级侧）
TSHUTS_{SECONDARY_RISE}	次级侧过热关断上升阈值	首次上电时，Tj 需要低于 140^oC 才能启用。	150	160	170	°C
TSHUTS_{SECONDARY_HYST}	次级侧过热关断迟滞		15	20	25	°C
CMTI（共模瞬态抗扰度）
CMTI	共模瞬态抗扰度	以 GNDP 为基准的正 VEE	150			V/ns
CMTI	共模瞬态抗扰度	以 GNDP 为基准的负 VEE			-150	V/ns
集成变压器
N	变压器有效匝数比	次级侧至初级侧		1.51		-

(1) 采用最小输入电压工作之前，V_VIN 需要先高于 V_{VIN_UVLOP_RISING}