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ZHCSRY5A april 2023 – august 2023 UCC14241-Q1

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

DWN|36
- MPSS132

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcsry5a_oa

7.6 电气特性

在工作温度范围（T_J = –40°C 至 150°C）内，V_VIN = 21V 至 27V，C_IN = 10µF，C_OUT = 2.2µF，R_LIM = 1kΩ，V_ENA = 5V，除非另有说明。T_A = 25°C 且 V_VIN = 24V 时的所有典型值。

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
输入电源（初级侧，所有电压均以 GNDP 为基准）
V_VIN	输入电压范围	初级侧输入电压至 GNDP	21	24	27	V
I_{VINQ_OFF}	VIN 静态电流，已禁用	V_ENA=0V；V_VIN=21V 至 27V			700	µA
I_{VIN_ON_NO_LOAD}	VIN 工作电流，已启用，空载	V_ENA = 5V；V_VIN = 21V 至 27V；(VDD-VEE) = 25V 调节；I_VDD-VEE = 0mA。单路输出。			35	mA
I_{VIN_ON_FULL_LOAD}	VIN 工作电流，已启用，满载	V_ENA = 5V；V_VIN = 21V 至 27V；(VDD-VEE) = 25V 调节；I_VDD-VEE = 60mA。单路输出。			250	mA
UVLOP 比较器（初级侧，所有电压均以 GNDP 为基准）
V_{VIN_ANALOG_UVLOP_RISING}	VIN 模拟欠压锁定上升阈值	模拟比较器始终先运行	7.8	8.2	8.5	V
V_{VIN_ANALOG_UVLOP_FALLING}	VIN 模拟欠压锁定下降阈值	模拟比较器始终先运行	7	7.4	7.7	V
V_{VIN_UVLOP_RISING}	VIN 欠压锁定上升阈值		19	20	21	V
V_{VIN_UVLOP_FALLING}	VIN 欠压锁定下降阈值		17.1	18	18.9	V
OVLO 比较器（初级侧，所有电压均以 GNDP 为基准）
V_{VIN_OVLO_RISING}	VIN 过压锁定上升阈值		29.45	31	32.55	V
V_{VIN_OVLO_FALLING}	VIN 过压锁定下降阈值		26	29	31.5	V
TSHUTP 热关断比较器（初级侧，所有电压均以 GNDP 为基准）
TSHUTP_{PRIMARY_RISE}	初级侧过热关断上升阈值	首次上电时，T_J 需要低于 130°C 才能启用	140	150	160	°C
TSHUTP_{PRIMARY_HYST}	初级侧过热关断迟滞		15	20	25	°C
ENA 输入引脚（初级侧，所有电压均以 GNDP 为基准）
V_{EN_IR}	输入电压上升阈值，逻辑高电平	上升沿	1.25		1.95	V
V_{EN_IF}	输入电压下降阈值，逻辑低电平	下降沿	0.84		1.50	V
I_EN	使能引脚输入电流	V_ENA = 5.0V		5.8	18	µA
PG 开漏输出引脚（初级侧，所有电压均以 GNDP 为基准）
V_{PG_OUT_LO}	PG 输出低饱和电压	灌电流 = 5mA，电源正常			0.5	V
I_{PG_OUT_HI}	PG 漏电流	V_PG = 5.5V，电源不正常			5	µA
初级侧控制（所有电压均以 GNDP 为基准）
F_SW	开关频率	V_VIN = 24V；V_ENA = 5V；(VDD-VEE) = 25V	11	13	15	MHz
F_SSM	展频调制 (SSM) 三角波形的频率	V_VIN = 24V；V_ENA = 5V；(VDD-VEE) = 25V		90		kHz
F_CARRIER 的 SSM 百分比变化	三角波形展频调制 (SSM) 期间载波频率的 SSM 百分比变化	V_VIN = 24V；V_ENA = 5V；(VDD-VEE) = 25V		5		%
t_{SOFT_START_TIME_OUT}	初级侧软启动超时	当 VIN 高于 UVLOP 且 ENA 为高电平时计时器开始工作，当电源正常引脚指示正常时复位		34.8		ms
(VDD-VEE) 输出电压（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{VDD_RANGE}	(VDD-VEE) 输出电压范围	P_{OUT_MAX}（高达 1.5W，T_A = 105^oC）	18		25	V
V_{VDD_RANGE}	(VDD-VEE) 输出电压范围	P_{OUT_MAX}（高达 1.3W，T_A = 105^oC）	15		25	V
V_{VDD_DC_ACCURACY}	(VDD-VEE) 输出电压直流调节精度	次级侧 (VDD-VEE) 输出电压，在负载、线性变化和温度范围内，通过外部电阻分压器进行外部调节	-1.3		1.3	%
(VDD-VEE) 调节迟滞比较器（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{FBVDD_REF}	(VDD-VEE) 的反馈调节基准电压	(VDD-VEE) 稳压输出	2.4675	2.5	2.5325	V
V_{FBVDD_HYST}	FBVDD 迟滞比较器迟滞设置。FBVDD 引脚迟滞。[(VDD-VEE) 迟滞会通过反馈电阻分压器增益来放大此 FBVDD 迟滞。]		9	10	12.3	mV
(COM-VEE) 输出电压（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{VEE_RANGE}	(COM-VEE) 输出电压范围	次级侧 (COM-VEE)，通过外部电阻分压器进行调节	2.5		(VDD-VEE)	V
V_{VEE_DC_ACURACY}	(COM-VEE) 输出电压直流调节精度	次级侧 (COM-VEE) 输出电压，在负载、线性变化和温度范围内，通过外部电阻分压器进行外部调节	–1.3		1.3	%
(COM-VEE) 调节迟滞比较器（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{FBVEE_REF}	(COM-VEE) 的反馈调节基准电压	(COM-VEE) 稳压输出	2.4675	2.5	2.5325	V
V_{RLIM_SHORT_CHRG_CMP_RISE}	用于退出 PWM 的 Rlim 短路充电比较器上升阈值	上升阈值		0.73		V
t_{RLIM_SHORT_CHRG_ON_TIME}	RLIM 引脚短路充电 PWM 模式期间的导通时间	RLIM 引脚 < 0.645V，而 FBVEE 引脚 < 2.48V		1.2		us
t_{RLIM_SHORT_CHRG_OFF_TIME}	RLIM 引脚短路充电 PWM 模式期间的关断时间	RLIM 引脚 < 0.645V，而 FBVEE 引脚 < 2.48V		5		us
(VDD-VEE) UVLO 比较器（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{VDD_UVLO_RISING}	(VDD-VEE) 欠压锁定上升阈值	FBVDD 处的电压		0.9		V
V_{VDD_UVLO_HYST}	(VDD-VEE) 欠压锁定迟滞	FBVDD 处的电压		0.2		V
(VDD-VEE) OVLO 比较器（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{VDD_OVLOS_RISING}	(VDD-VEE) 过压锁定上升阈值	电压范围为 VDD 至 VEE，上升	29.45	31	32.55	V
V_{VDD_OVLOS_FALLING}	(VDD-VEE) 过压锁定下降阈值	电压范围为 VDD 至 VEE，下降	27.55	29	30.45	V
软启动（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
t_blankout	软启动后、PG 之前，(VDD-VEE) UVP 和 (COM-VEE) UVP 及 OVP 的消隐时间			3		ms
(VDD-VEE) UVP，欠压保护比较器（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{VDD_UVP_RISING}	(VDD-VEE) 欠压保护上升阈值，V_UVP = V_REF × 90%		2.175	2.25	2.35	V
V_{VDD_UVP_HYST}	(VDD-VEE) 欠压保护迟滞			20		mV
(VDD-VEE) OVP，过压保护比较器（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{VDD_OVP_RISING}	(VDD-VEE) 过压锁定上升阈值，V_OVP = V_REF × 110%		2.7	2.75	2.825	V
V_{VDD_OVP_HYST}	(VDD-VEE) 过压保护迟滞			20		mV
(COM-VEE) UVP，欠压保护比较器（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{VEE_UVP_RISING}	(COM-VEE) 欠压保护上升阈值，V_UVP = V_REF × 90%		2.1	2.25	2.4	V
V_{VEE_UVP_HYST}	(COM-VEE) 欠压保护迟滞			20		mV
(COM-VEE) OVP，过压保护比较器（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
V_{VEE_OVP_RISING}	(COM-VEE) 过压保护上升阈值，V_OVP = V_REF × 110%		2.7	2.75	2.825	V
V_{VEE_OVP_HYST}	(COM-VEE) 过压保护迟滞			20		mV
TSHUTS 热关断比较器（次级侧，所有电压均以 VEE 为基准）
TSHUTS_{SECONDARY_RISE}	次级侧过热关断上升阈值	首次上电时，Tj 需要低于 130^oC 才能启用。	140	150	160	°C
TSHUTS_{SECONDARY_HYST}	次级侧过热关断迟滞		15	20	25	°C
CMTI（共模瞬态抗扰度）
CMTI	共模瞬态抗扰度	以 GNDP 为基准的正 VEE	150			V/ns
CMTI	共模瞬态抗扰度	以 GNDP 为基准的负 VEE			-150	V/ns
集成式 MAGLAM 变压器（初级侧至次级侧。注意：这些值对于每个 XFMR 版本都是唯一的）
N	变压器有效匝数比	次级侧至初级侧		1.18		-