可根据以下公式选择 R_LIM1 值

其中

当 I_COM-VEE>I_VDD-COM 时，∆I_{COM_SOURCE}=I_COM-VEE-I_VDD-COM。否则，∆I_{COM_SOURCE}=0A。

当计算得出的 R_LIM1 值大于 3kΩ 时，我们建议 R_LIM1 使用 3kΩ 电阻器。原因是使用 >3kΩ 电阻器节省的额外功率损耗非常有限，建议使用最大 3kΩ 电阻器，以通过 R_LIM1 保留足够的拉电流能力来应对瞬态事件。

可根据以下公式选择 R_LIM2 值

其中，R_{LIM_MAX_L} 是“单个 R_LIM 电阻器选型”部分中介于 R_{LIM_MAX_L1} 和 R_{LIM_MAX_L2} 之间的最小值，而 0.5V 表示 D_LIM 的二极管正向压降。

当计算出的 R_LIM1 和 R_LIM2 值具有足够大的差异时，RDR 效率提升很显著。如果 R_LIM1 和 R_LIM2 值接近，则可以考虑使用单个 R_LIM 电阻器来减少外部元件。

R_LIM1 的功率损耗可根据下式推导出

其中

R_LIM2 的功率损耗可根据下式近似得出

二极管 D_LIM 的最大额定电压需要考虑最高 V_VDD-to-VEE。D_LIM 的最大额定电流可以根据最坏情况下持续电流的降额 (V_COM-to-VEE – V_{F_DLIM}) / R_LIM2 来选择，其中 V_{F_DLIM} 是 D_LIM 的正向电压。二极管封装尺寸是根据正向导通中的功率损耗 P_{Loss_DLIM} = V_{F_DLIM} x ((V_COM-to-VEE – V_{F_DLIM}) / R_LIM2) 确定的。建议使用肖特基二极管来降低功率损耗。