ZHCSVY3A April 2024 – June 2024 UCC21231
PRODUCTION DATA
引脚 | 类型(1) | 说明 | |
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名称 | 编号 | ||
INA | 2 | I | A 通道的输入信号。INA 输入具有兼容 TTL/CMOS 的输入阈值。该引脚在保持开路时在内部被拉至低电平。建议在 INA 上使用 RC 滤波器,R = 10Ω 至 100Ω,C = 10pF 至 100pF。 |
INB | 3 | I | B 通道的输入信号。INB 输入具有兼容 TTL/CMOS 的输入阈值。该引脚在保持开路时在内部被拉至低电平。建议在 INB 上使用 RC 滤波器,R = 10Ω 至 100Ω,C = 10pF 至 100pF。 |
VCCI | 4 | P | 初级侧电源电压。使用尽可能靠近器件的低 ESR/ESL 电容器在本地进行去耦(连接至 GND)。 |
GND | 1,7 | G | 初级侧接地参考。初级侧的所有信号都以该接地为基准。 |
EN | 5 | I | 设置为高电平时会同时启用两个驱动器输出,而设置为低电平时则会禁用输出。如果不使用该引脚,则建议将其连接至 VCCI,以实现更好的抗噪性能。如果保持悬空,则该引脚在内部被拉低。建议在 EN 上使用 RC 滤波器,R = 0Ω 至 100Ω,C = 100pF 至 1000pF。 |
DT | 6 | I | DT 引脚配置:
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VDDA | 13 | P | 驱动器 A 的次级侧电源。使用尽可能靠近器件的低 ESR/ESL 电容器在本地进行去耦(连接至 VSSA)。 |
OUTA | 12 | O | 驱动器 A 的输出。连接到 A 通道晶体管的栅极。 |
VSSA | 11 | G | 次级侧驱动器 A 接地。次级侧 A 通道的接地参考。 |
VDDB | 10 | P | 驱动器 B 的次级侧电源。使用尽可能靠近器件的低 ESR/ESL 电容器在本地进行去耦(连接至 VSSB)。 |
OUTB | 9 | O | 驱动器 B 的输出。连接到 B 通道晶体管的栅极。 |
VSSB | 8 | G | 次级侧驱动器 B 接地。次级侧 B 通道的接地参考。 |