4 引脚配置和功能

图 4-1 DWK 封装14 引脚 SOIC顶视图

表 4-1 引脚功能

引脚		I/O⁽¹⁾	说明
名称	编号	I/O⁽¹⁾	说明
禁用	5	I	设置为高电平时可同时禁用两个驱动器输出，而设置为低电平或保持开路时可启用输出。该引脚在保持开路时在内部被拉至低电平。为了实现更好的抗噪性能，如果不使用该引脚，则建议将其接地。连接到远距离微控制器时，可靠近 DIS 引脚放置约 1nF 的低 ESR/ESL 电容器进行旁路。
DT	6	I	可编程的死区时间功能。将 DT 连接到 VCCI 允许输出重叠。在 DT 和 GND 之间放置一个 500Ω 至 500kΩ 的电阻器 (RDT) 可根据以下公式调整死区时间：DT (ns) = 10 × R_DT (kΩ)。建议在 DT 引脚附近将一个 ≤1nF 的陶瓷电容器与 R_DT 并联，以实现更好的抗噪性能。不建议将 DT 引脚悬空。
GND	4	P	初级侧地基准。初级侧的所有信号都以该地为基准。
INA	1	I	A 通道的输入信号。INA 输入具有兼容 TTL/CMOS 的输入阈值。该引脚在保持开路时在内部被拉至低电平。为了实现更好的抗噪性能，如果不使用该引脚，则建议将其接地。
INB	2	I	B 通道的输入信号。INB 输入具有兼容 TTL/CMOS 的输入阈值。该引脚在保持开路时在内部被拉至低电平。为了实现更好的抗噪性能，如果不使用该引脚，则建议将其接地。
NC	7	–	无内部连接。
OUTA	15	O	驱动器 A 的输出。连接到 A 通道 FET 或 IGBT 的栅极。
OUTB	10	O	驱动器 B 的输出。连接到 B 通道 FET 或 IGBT 的栅极。
VCCI	3	P	初级侧电源电压。使用尽可能靠近器件的低 ESR/ESL 电容器在本地进行去耦（连接至 GND）。
VCCI	8	P	初级侧电源电压。此引脚在内部短接至引脚 3。
VDDA	16	P	驱动器 A 的次级侧电源。使用尽可能靠近器件的低 ESR/ESL 电容器在本地进行去耦（连接至 VSSA）。
VDDB	11	P	驱动器 B 的次级侧电源。使用尽可能靠近器件的低 ESR/ESL 电容器在本地进行去耦（连接至 VSSB）。
VSSA	14	P	次级侧驱动器 A 接地。次级侧 A 通道的接地参考。
VSSB	9	P	次级侧驱动器 B 接地。次级侧 B 通道的接地参考。

(1) P = 电源，G = 地，I = 输入，O = 输出