UCC21320-Q1 的输出级采用上拉结构，在电源开关导通转换的米勒平台区域期间，能够在需要时提供峰值拉电流（此时电源开关漏极或集电极电压经历 dV/dt）。输出级上拉结构具备一个 P 沟道 MOSFET 与一个额外的上拉 N 沟道 MOSFET（并联）。N 沟道 MOSFET 的功能是短暂增加峰值拉电流，从而实现快速导通。这是通过在输出状态从低电平变为高电平时，在短时间内短暂导通 N 沟道 MOSFET 来实现的。该 N 沟道 MOSFET 的导通电阻 (R_NMOS) 在激活时约为 1.47Ω。

R_OH 参数是直流测量值，仅代表 P 沟道器件的导通电阻。这是因为上拉 N 沟道器件在直流条件下保持在关断状态，并且仅在输出状态从低电平变为高电平时短暂导通。因此，在该短暂导通阶段，UCC21320-Q1 上拉级的有效电阻远低于 R_OH 参数所表示的有效电阻。因此，R_OH 的值掩盖了 UCC21320-Q1 导通时间的快速特性。

UCC21320-Q1 中的下拉结构仅由 N 沟道 MOSFET 组成。R_OL 参数也是一项直流测量值，其表示器件中下拉状态下的阻抗。UCC21320-Q1 的两个输出都能提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流脉冲。输出电压在 VDD 和 VSS 之间摆动提供轨到轨运行，这归功于提供极低压降的 MOS 输出级。

为了确保栅极驱动器稳健可靠地运行，请特别注意最小脉冲宽度。电气特性表中显示的最小脉冲宽度描述了在空载驱动器中传递到输出的最小输入脉冲。这是由驱动器 IC 中存在的抗尖峰脉冲滤波器决定的。需要比最大规格更长的输入开启或关闭脉冲宽度，才能保证输出状态改变并避免潜在的击穿。对于施加了负载的驱动器，必须采取额外的预防措施以确保系统稳健运行。在栅极开关期间，如果输出状态在驱动器完成每次转换之前发生变化，则会发生非零电流开关事件。与布局寄生效应相结合，非零电流开关可能会导致内部电源轨过冲和栅极驱动器的 EOS 损坏。因此，需要最小输出宽度来确保系统可靠运行。该最小输出脉冲宽度取决于多个因素：栅极电容、VDD 电源电压、栅极电阻和 PCB 布局寄生效应。稳健运行的最小脉冲宽度可能大于电气特性表中显示的最小脉冲宽度。应进行系统级研究，以确定每个系统所需的最小输出脉冲宽度。

图 7-2 输出级