ZHCSKP2A March   2020  – August 2024 UCC21320-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级（汽车类）
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全限值
    8. 5.8  电气特性
    9. 5.9  时序要求
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 绝缘特性曲线
    12. 5.12 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟和脉宽失真度
    2. 6.2 上升至下降时间
    3. 6.3 输入和禁用响应时间
    4. 6.4 可编程死区时间
    5. 6.5 上电 UVLO 到输出延迟
    6. 6.6 CMTI 测试
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 VDD、VCCI 和欠压锁定 (UVLO)
      2. 7.3.2 输入和输出逻辑表
      3. 7.3.3 输入级
      4. 7.3.4 输出级
      5. 7.3.5 UCC21320 -Q1 中的二极管结构
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 禁用引脚
      2. 7.4.2 可编程死区时间 (DT) 引脚
        1. 7.4.2.1 将 DT 引脚连接到 VCC
        2. 7.4.2.2 DT 引脚连接至 DT 和 GND 引脚之间的编程电阻器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 设计 INA/INB 输入滤波器
        2. 8.2.2.2 选择外部自举二极管及其串联电阻
        3. 8.2.2.3 栅极驱动器输出电阻器
        4. 8.2.2.4 栅极至源极电阻器选择
        5. 8.2.2.5 估算栅极驱动器功率损耗
        6. 8.2.2.6 估算结温
        7. 8.2.2.7 选择 VCCI、VDDA/B 电容器
          1. 8.2.2.7.1 选择 VCCI 电容器
          2. 8.2.2.7.2 选择 VDDA（自举）电容器
          3. 8.2.2.7.3 选择 VDDB 电容器
        8. 8.2.2.8 死区时间设置指南
        9. 8.2.2.9 具有输出级负偏置的应用电路
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

12 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (March 2020)to RevisionA (August 2024)

  • 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go
  • 从“特性”中删除了 HBM 和 CDM ESD 分类等级Go
  • 将典型传播延迟从 19ns 更改为 33nsGo
  • 将最小脉宽从 10ns 更改为 20nsGo
  • 删除了关于 5ns 最大延迟匹配的要点Go
  • 将 CMTI 从大于 100V/ns 更改为大于 125V/nsGo
  • 删除了浪涌抗扰度要点Go
  • 删除了关于隔离栅超过 40 年的要点Go
  • 删除了关于抑制短于 5ns 的输入脉冲的要点Go
  • 将工作温度更改为新的结温范围Go
  • 删除了关于出色传播延迟和 PWD 的句子Go
  • 将 CMTI 最小值从 100V/ns 更改为 125V/nsGo
  • 更改了 DT 引脚上的电容器大小和建议的 DT 条件Go
  • 将 DWK 封装的通道间隔离电压从 1500V 更改为 1850VGo
  • 将 ESD 规格从“HBM = ±4000”和“CDM = ±1500”更新为“HBM = ±2000”和“CDM = ±1000”，以便符合 ESD 行业标准Go
  • 删除了环境温度规格Go
  • 将最大结温更改为 150CGo
  • 将 RθJA = 67.3°C/W、RθJC(top) = 34.4°C/W、RθJB = 32.1°C/W、ψJT = 18.0°C/W、ψJB = 31.6°C/W 值更新至 RθJA = 74.1°C/W、RθJC(top) = 34.1°C/W、RθJB = 32.8°C/W、ψJT = 23.7°C/W、ψJB = 32.1°C/WGo
  • 将 PD = 1.05W、PDI = 0.05W、PDA/PDB = 0.5W 更新为 PD = 950mW、PDI = 50mW、PDA/PDB = 450mW，并更改了测试条件。Go
  • 将 DTI = >21mm、VIOSM = 6250VPK 更新为 DTI = >17mm、VIOSM = 6500VPK，并添加了 VIMP = 5000VPKGo
  • 删除了“安全相关认证”部分Go
  • 将 IS = 75mA/36mA、PS = 50mW/900mW/900mW/1850mW 更新为 IS = 53mA/32mA、PS = 50mW/800mW/800mW/1650mW。将第一行测试条件从 VDDA/B = 12V 更改为 VDDA/B = 15VGo
  • 将测试条件从 VDDA = VDDB = 12V 更新为 VDDA = VDDB = 15VGo
  • 将 VCCI 静态电流典型值从 1.5mA 更新为 1.4mAGo
  • 将 IVDDA/IVDDB 静态电流规格最大值从 1.8mA 更新为 2.5mAGo
  • 将 IVCCI 工作电流典型值从 2.0mA 更新为 3.0mA，并添加了最大值 3.5mAGo
  • 添加了 IVDDA/IVDDB 工作电流最大值 = 4.2mAGo
  • 将上升阈值最小值 8.3V、典型值 8.7V、最大值 9.2V 更新为最小值 7.7V、典型值 8.5V、最大值 8.9VGo
  • 将下降阈值最小值 7.8V、典型值 8.2V、最大值 8.7V 更新为最小值 7.2V、典型值 7.9V、最大值 8.4VGo
  • 将 8V UVLO 迟滞典型值从 0.5V 更新为 0.6VGo
  • 将输入高电平阈值最小值从 1.6V 更新为 1.2VGo
  • 将输出电压测试条件从 VDD = 12V 更改为 VDD = 15V。将典型值从 11.95V 更改为 14.95V。 Go
  • 通过移到新的“时序要求”表来更新了“死区时间”参数，并添加了更多参数Go
  • 将传播延迟 TPDHL 和 TPDLH 从典型值 = 19ns、最大值 = 30ns 更改为典型值 = 33ns、最大值 = 45ns 并添加了最小值 = 26nsGo
  • 将传播延迟匹配从 TJ = -40C 至 -10C 时最大值 = 6.5ns 更改为 TJ = -10C 至 150C 时最大值 = 5nsGo
  • 添加了 VCCI 上电延迟Go
  • 将 VDDA/VDDB 上电延迟最大值从 100us 更新为 10usGo
  • 将 CMTI 最小值从 100V/ns 更新至 125V/nsGo
  • 更新了热性能和隔离曲线以匹配更新后的特性Go
  • 将测试条件从 VDDA = VDDB = 12V 更改为 VDDA = VDDB = 15VGo
  • 更新了典型特性图Go
  • 更改了 VCCI UVLO 和 VDD UVLO 的延迟时间Go
  • 更新了方框图以包括驱动器上的抗尖峰脉冲滤波器块Go
  • 添加了有关窄脉冲的段落Go
  • 更新了 ESD 二极管结构Go
  • 将建议的 DT 大小从 >=2.2nF 更改为 <=1nFGo
  • 更新了典型原理图 DT 引脚电容器建议Go
  • 将建议的 DT 电容器大小更改为 <=1nFGo
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