ZHCSU86A January   2024  – June 2024 UCC21330

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全限值
    8. 5.8  电气特性
    9. 5.9  开关特性
    10. 5.10 绝缘特性曲线
    11. 5.11 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟和脉宽失真度
    2. 6.2 上升至下降时间
    3. 6.3 输入和禁用响应时间
    4. 6.4 可编程死区时间
    5. 6.5 上电 UVLO 到输出延迟
    6. 6.6 CMTI 测试
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 VDD、VCCI 和欠压锁定 (UVLO)
      2. 7.3.2 输入和输出逻辑表
      3. 7.3.3 输入级
      4. 7.3.4 输出级
      5. 7.3.5 UCC21330 中的二极管结构
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 禁用引脚
      2. 7.4.2 可编程死区时间 (DT) 引脚
        1. 7.4.2.1 将 DT 引脚连接到 VCC
        2. 7.4.2.2 DT 引脚连接至 DT 和 GND 引脚之间的编程电阻器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 设计 INA/INB 输入滤波器
        2. 8.2.2.2 选择外部自举二极管及其串联电阻
        3. 8.2.2.3 栅极驱动器输出电阻器
        4. 8.2.2.4 栅极至源极电阻器选择
        5. 8.2.2.5 估算栅极驱动器功率损耗
        6. 8.2.2.6 估算结温
        7. 8.2.2.7 选择 VCCI、VDDA/B 电容器
          1. 8.2.2.7.1 选择 VCCI 电容器
          2. 8.2.2.7.2 选择 VDDA（自举）电容器
          3. 8.2.2.7.3 选择 VDDB 电容器
        8. 8.2.2.8 死区时间设置指南
        9. 8.2.2.9 具有输出级负偏置的应用电路
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 认证
    4. 11.4 接收文档更新通知
    5. 11.5 支持资源
    6. 11.6 商标
    7. 11.7 静电放电警告
    8. 11.8 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • D|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

12 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (January 2024)to RevisionA (June 2024)

  • 将隔离等级更改为 3kVrmsGo
  • 添加了新的器件型号Go
  • 更改了典型应用原理图禁用电容器命名Go
  • 添加了有关 DT 电容器尺寸的建议Go
  • 添加了 5V 和 12V UVLO 版本的建议工作电压Go
  • 将 CTI 从 >600V 更改为 >400VGo
  • 将材料组从 I 更改为 IIGo
  • 将测试条件从 EN = VCC 更改为 DIS = GNDGo
  • 添加了 5V 和 12V UVLO 版本的 UVLO 值Go
  • 将 DIS 响应延迟典型值从 49ns 更改为 48nsGo
  • 将 -40°C 至 150°C tDM=5ns 最大值 tDM 规格分为两个温度范围Go
  • 将 PWD 最大值更改为 5nsGo
  • 更改了安全限制曲线以反映器件特性Go
  • 更改了 TDDB 曲线以匹配基本隔离Go
  • 添加了 5V 和 12V UVLO 的典型特性图Go
  • 更改了曲线图标题以反映 DIS 型号Go
  • 更改了典型应用原理图禁用电容器命名Go
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