ZHCSJ18C October   2018  – November 2021 UCC21530

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
  6. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议工作条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  额定功率
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特征
    10. 6.10 开关特征
    11. 6.11 绝缘特征曲线
    12. 6.12 典型特征
  7. 7 参数测量信息
    1. 7.1 传播延迟和脉宽失真度
    2. 7.2 上升和下降时间
    3. 7.3 输入和使能响应时间
    4. 7.4 可编程死区时间
    5. 7.5 上电 UVLO 到输出延迟
    6. 7.6 CMTI 测试
  8. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 VDD、VCCI 和欠压锁定 (UVLO)
      2. 8.3.2 输入和输出逻辑表
      3. 8.3.3 输入级
      4. 8.3.4 输出级
      5. 8.3.5 UCC21530 中的二极管结构
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 使能引脚
      2. 8.4.2 可编程死区时间 (DT) 引脚
        1. 8.4.2.1 DT 引脚连接至 VCC
        2. 8.4.2.2 DT 引脚连接至 DT 和 GND 引脚之间的编程电阻器
  9. 9 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 设计 INA/INB 输入滤波器
        2. 9.2.2.2 选择死区时间电阻器和电容器
        3. 9.2.2.3 栅极驱动器输出电阻器
        4. 9.2.2.4 估算栅极驱动器功率损耗
        5. 9.2.2.5 估算结温
        6. 9.2.2.6 选择 VCCI、VDDA/B 电容器
          1. 9.2.2.6.1 选择 VCCI 电容器
        7. 9.2.2.7 其他应用示例电路
      3. 9.2.3 应用曲线
  10. 10电源相关建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 元件放置注意事项
      2. 11.1.2 接地注意事项
      3. 11.1.3 高电压注意事项
      4. 11.1.4 散热注意事项
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 术语表
      1.      机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.10 开关特征

除非另有说明，否则 VVCCI = 3.3V 或 5V，从 VCCI 至 GND 的 0.1µF 电容器，VVDDA = VVDDB = 15V，从 VDDA 和 VDDB 至 VSSA 和 VSSB 的 1µF 电容器，TA = –40°C 至 +125°C。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
tRISE 输出上升时间，20% 至 80% 测量点 COUT = 1.8nF 6 16 ns
tFALL 输出下降时间，90% 至 10% 测量点 COUT = 1.8nF 7 12 ns
tPWmin 最小脉宽 低于最小值时输出关闭，COUT = 0pF 20 ns
tPDHL 从 INx 至 OUTx 下降沿的传播延迟 14 19 30 ns
tPDLH 从 INx 至 OUTx 上升沿的传播延迟 14 19 30 ns
tPWD 脉宽失真度 |tPDLH – tPDHL| 6 ns
tDM VOUTA、VOUTB 之间的传播延迟匹配 f = 100kHz 5 ns
tVCCI+ to OUT VCCI 上电延迟时间：UVLO 上升至 OUTA、OUTB，
请参阅 图 7-5		 INA 或 INB 连接到 VCCI 40 µs
tVDD+ to OUT VDDA、VDDB 上电延迟时间：UVLO 上升至 OUTA、OUTB，
请参阅 图 7-6		 INA 或 INB 连接到 VCCI 50
|CMH| 高电平共模瞬态抗扰度（请参阅 Topic Link Label7.6） GND 与 VSSA/B 的压摆率，INA 和 INB 都连接至 GND 或 VCCI；VCM = 1500V； 100 V/ns
|CML| 低电平共模瞬态抗扰度（请参阅 Topic Link Label7.6） GND 与 VSSA/B 的压摆率，INA 和 INB 都连接至 GND 或 VCCI；VCM = 1500V； 100
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