每个周期，当低侧晶体管导通时，自举电容器会由 VDD 通过外部自举二极管进行充电。为电容器充电涉及到高峰值电流，因此自举二极管上的瞬态功率耗散可能会非常大。导通损耗还取决于二极管的正向压降。栅极驱动器电路中的总损耗包括二极管导通损耗和反向恢复损耗。

选择外部自举二极管时，TI 建议选择高电压、快速恢复二极管或者具有低正向压降和低结电容的 SiC 肖特基二极管，以尽可能地减少反向恢复和相关接地噪声反弹引入的损耗。本例中，直流链路电压为 400 V_DC。自举二极管的电压等级应该大于直流链路电压并保留充分的裕度。因此，本例中选择了 600V 超快速二极管 MURA160T3G。

自举电阻器 R_BOOT 用于减少每个开关周期内 D_BOOT 中的浪涌电流并限制 VDDA-VSSA 电压的斜升压摆率，尤其是 VSSA(SW) 引脚具有过大的负瞬态电压时。R_BOOT 的建议值在 1Ω 和 20Ω 之间，具体取决于所用的二极管。本例中选择了一个 2.7Ω 限流电阻器来限制自举二极管中的浪涌电流。在最坏的情况下，流经 D_Boot 的峰值电流估计如下：

方程式 2.

其中

• V_BDF 是 4A 条件下自举二极管上的预计正向压降。

如不能将 VDDx-VSSx 的电压限制在 FET 和 UCC21540-Q1 的绝对最大额定值以下，在某些情况下可能对器件造成永久损坏。