ZHCSKZ7D June   2020  – August 2024 UCC21540-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  功率等级
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全限值
    8. 6.8  电气特性
    9. 6.9  开关特性
    10. 6.10 绝缘特性曲线
    11. 6.11 典型特性
  8. 参数测量信息
    1. 7.1 最小脉冲
    2. 7.2 传播延迟和脉宽失真度
    3. 7.3 上升和下降时间
    4. 7.4 输入和禁用响应时间
    5. 7.5 可编程死区时间
    6. 7.6 上电 UVLO 到输出延迟
    7. 7.7 CMTI 测试
  9. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 VDD、VCCI 和欠压锁定 (UVLO)
      2. 8.3.2 输入和输出逻辑表
      3. 8.3.3 输入级
      4. 8.3.4 输出级
      5. 8.3.5 UCC21540-Q1 中的二极管结构
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 禁用引脚
      2. 8.4.2 可编程死区时间 (DT) 引脚
        1. 8.4.2.1 DT 引脚连接至 VCCI
        2. 8.4.2.2 在 DT 和 GND 引脚之间连接编程电阻器
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 设计 INA/INB 输入滤波器
        2. 9.2.2.2 选择死区时间电阻器和电容器
        3. 9.2.2.3 选择外部自举二极管及其串联电阻
        4. 9.2.2.4 栅极驱动器输出电阻器
        5. 9.2.2.5 栅极至源极电阻器选择
        6. 9.2.2.6 估算栅极驱动器功率损耗
        7. 9.2.2.7 估算结温
        8. 9.2.2.8 选择 VCCI、VDDA/B 电容器
          1. 9.2.2.8.1 选择 VCCI 电容器
          2. 9.2.2.8.2 选择 VDDA(自举)电容器
          3. 9.2.2.8.3 选择 VDDB 电容器
        9. 9.2.2.9 具有输出级负偏置的应用电路
      3. 9.2.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 元件放置注意事项
      2. 11.1.2 接地注意事项
      3. 11.1.3 高电压注意事项
      4. 11.1.4 散热注意事项
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13修订历史记录
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DWK|14
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLC (February 2021)to RevisionD (August 2024)

  • 从“特性”中删除了 HBM 和 CDM ESD 分类等级Go
  • 将 CMTI 从大于 100V/ns 更改为大于 125V/nsGo
  • 将传播延迟从 40ns(最大值)更改为 33ns(典型值)Go
  • 删除了关于 5ns 最大延迟匹配的要点Go
  • 将最大脉宽失真从 5.5ns 更改为 6nsGo
  • 将 VDD 上电延迟最大值 35us 更改为 10us 最大值Go
  • 删除了关于认证和认证中的要点Go
  • 将 CMTI 最小值从 100V/ns 更改为 125V/nsGo
  • 删除了关于抑制短于 5ns 的输入瞬变的句子Go
  • 将输入引脚的负电压处理能力从 -2V(持续 200ns)更改为 -5V(持续 50ns)Go
  • 将原理图 DT 电容器大小从 >= 2.2nF 更改为 <=1nFGo
  • 更改了建议的 DT 引脚条件和 DT 引脚上的电容器大小Go
  • 将 VCCI absmax 从 6V 更改为 20VGo
  • 将 VDDA-VSSA 和 VDDB-VSSB absmax 从 20V 更改为 30VGo
  • 将所有 -0.5V 最小值更改为 -0.3V,以与新发布的数据表保持一致Go
  • 将所有绝对最大值从 +0.5V 电源更改为 +0.3V 电源,以与新发布的数据表保持一致Go
  • 将输入信号电压瞬态测试条件更改为 50ns 并将绝对最小值更改为 -5VGo
  • 将 ESD 规格从“HBM = ±4000”和“CDM = ±1500”更新为“HBM = ±2000”和“CDM = ±1000”,以便符合 ESD 行业标准Go
  • 将 VCCI 建议最大值从 5.5V 更改为 18VGo
  • 将 VDDA-VSSA 和 VDDB-VSSB 的建议最大值从 18V 更改为 25VGo
  • 将 5V-UVLO 建议的 VDDA/B 电压最小值从 6V 更改为 6.5VGo
  • 删除了环境温度规格Go
  • 将 RθJA = 69.7°C/W、RθJC(top) = 33.1°C/W、RθJB = 29.0°C/W、ψJT = 20.0°C/W、ψJB = 28.3°C/W 值更新至 RθJA = 74.1°C/W、RθJC(top) = 34.1°C/W、RθJB = 32.8°C/W、ψJT = 23.7°C/W、ψJB = 32.1°C/WGo
  • 将 PD = 915mW、PDI = 15mW、PDA/PDB = 450mW 更新为 PD = 950mW、PDI = 50mW、PDA/PDB = 450mWGo
  • 添加了 VIMP = 7692Vpk,并根据最新的绝缘标准将 Viosm 从 8000V 更改为 10000VGo
  • 删除了“安全相关认证”部分Go
  • 将值从 IS = 73mA、PS = 15mW/880mW/880mW/1775mW 更新为 IS = 66mA、PS = 50mW/800mW/1650mWGo
  • 将测试条件从 VDDA = VDDB = 12V 更改为 VDDA = VDDB = 15VGo
  • 将 IVDDA/IVDDB 静态电流规格最大值从 1.8mA 更新为 2.5mAGo
  • 将 IVCCI 工作电流典型值从 2.5mA 更新为 3.0mA,并添加了最大值 3.5mAGo
  • 添加了 IVDDA/IVDDB 工作电流最大值 4.2mAGo
  • 将上升阈值最小值 5.0V、典型值 5.5V、最大值 5.9V 更新为最小值 5.7V、典型值 6.0V、最大值 6.3VGo
  • 将下降阈值最小值 4.7V、典型值 5.2V、最大值 5.6V 更新为最小值 5.4V、典型值 5.7V、最大值 6.0VGo
  • 将 8V UVLO 迟滞典型值从 0.5V 更新为 0.6VGo
  • 将上升阈值最小值 8V、典型值 8.5V、最大值 9V 更新为最小值 7.7V、典型值 8.5V、最大值 8.9VGo
  • 将上升阈值最小值 7.5V、典型值 8V、最大值 8.5V 更新为最小值 7.2V、典型值 7.9V、最大值 8.4VGo
  • 将输入高电平阈值最小值从 1.6V 更新为 1.2VGo
  • 将输入低电平阈值最大值从 1.25V 更新至 1.2VGo
  • 删除了峰值电流最小值Go
  • 删除了输出电阻最大值Go
  • 删除了高电平状态时的输出电压最小值。将典型值从 11.95V 更改为 14.95V。将测试条件从 VDD = 12V 更改为 VDD = 15V。Go
  • 删除了低电平状态的输出电压最大值。将测试条件从 VDD = 12V 更改为 VDD = 15V。Go
  • 将驱动器有源下拉典型值从 1.75V 更改为 1.6V,并将最大值从 2.1V 更改为 2V。Go
  • 删除了死区时间匹配行Go
  • 将测试条件从 VDDA = VDDB = 12V 更改为 VDDA = VDDB = 15VGo
  • 删除了最小脉宽典型值Go
  • 将传播延迟 TPDHL 和 TPDLH 从典型值 28ns、最大值 40ns 更改为最小值 26ns、典型值 33ns、最大值 45nsGo
  • 将脉宽失真最大值从 5.5ns 更改为 6nsGo
  • 将传播延迟匹配从 TJ = -40C 至 -10C 时最大值 = 6.5ns 更改为 TJ = -10C 至 150C 时最大值= 5nsGo
  • 删除了 VCCI 上电延迟(典型值为 40us),并将最大值从 59us 更改为 50usGo
  • 删除了 VDD 上电延迟(典型值为 23us),并将最大值从 35us 更改为 10usGo
  • 将 CMTI 最小值从 100V/ns 更新至 125V/nsGo
  • 更新了热曲线以匹配更新后的特性Go
  • 更新了典型特性图以显示器件特性Go
  • 删除了关于抗尖峰脉冲滤波器的措辞。将最小脉宽从 10ns(典型值)更改为 20ns(最大值)。Go
  • 将建议放置的去耦电容器从 2.2nF 或更高更改为 ≤1nFGo
  • 更改了 UVLO 延迟时间Go
  • 更新了功能方框图Go
  • 将钳位电压典型值从 1.75V 更改为 1.6VGo
  • 将 DIS 下拉电阻器大小从 50kΩ 更改为 200kΩGo
  • 向“输出级”部分添加了关于最小脉宽的段落Go
  • 更新了 ESD 二极管结构Go
  • 删除了由于数据表草稿错误而导致的不完整句子Go
  • 将 DT 电容建议从 >=2.2nF 更改为 <=1nFGo
  • 删除了关于 DT 引脚稳态电压的句子Go
  • 更改了应用原理图中的 DT 电容器大小Go
  • 将 DT 电容器大小从 2.2nF 更改为 <=1nFGo
  • 将 DT 电容建议从 >=2.2nF 更改为 <=1nFGo

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (February 2021)to RevisionC (February 2021)

  • 更新了“增强型隔离电容器寿命预测”图Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (July 2020)to RevisionB (February 2021)

  • 向特性列表添加了功能安全质量管理型Go
  • 更改了“特性”、“应用”和“说明”部分Go
  • 添加了 UCC21540A-Q1 器件的初始发行版。Go
  • 添加了 UCC21540A-Q1 UVLO 阈值Go
  • 添加了 UCC21540A-Q1 UVLO 阈值图Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (May 2020)to RevisionA (July 2020)

  • 将销售状态从“预告信息”更改为“初始发行版”Go