ZHCSKZ7D June   2020  – August 2024 UCC21540-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  功率等级
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全限值
    8. 6.8  电气特性
    9. 6.9  开关特性
    10. 6.10 绝缘特性曲线
    11. 6.11 典型特性
  8. 参数测量信息
    1. 7.1 最小脉冲
    2. 7.2 传播延迟和脉宽失真度
    3. 7.3 上升和下降时间
    4. 7.4 输入和禁用响应时间
    5. 7.5 可编程死区时间
    6. 7.6 上电 UVLO 到输出延迟
    7. 7.7 CMTI 测试
  9. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 VDD、VCCI 和欠压锁定 (UVLO)
      2. 8.3.2 输入和输出逻辑表
      3. 8.3.3 输入级
      4. 8.3.4 输出级
      5. 8.3.5 UCC21540-Q1 中的二极管结构
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 禁用引脚
      2. 8.4.2 可编程死区时间 (DT) 引脚
        1. 8.4.2.1 DT 引脚连接至 VCCI
        2. 8.4.2.2 在 DT 和 GND 引脚之间连接编程电阻器
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 设计 INA/INB 输入滤波器
        2. 9.2.2.2 选择死区时间电阻器和电容器
        3. 9.2.2.3 选择外部自举二极管及其串联电阻
        4. 9.2.2.4 栅极驱动器输出电阻器
        5. 9.2.2.5 栅极至源极电阻器选择
        6. 9.2.2.6 估算栅极驱动器功率损耗
        7. 9.2.2.7 估算结温
        8. 9.2.2.8 选择 VCCI、VDDA/B 电容器
          1. 9.2.2.8.1 选择 VCCI 电容器
          2. 9.2.2.8.2 选择 VDDA(自举)电容器
          3. 9.2.2.8.3 选择 VDDB 电容器
        9. 9.2.2.9 具有输出级负偏置的应用电路
      3. 9.2.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 元件放置注意事项
      2. 11.1.2 接地注意事项
      3. 11.1.3 高电压注意事项
      4. 11.1.4 散热注意事项
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13修订历史记录
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DWK|14
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

输入和输出逻辑表

表 8-3 输入/输出逻辑表(1)(2) 假设 VCCI、VDDA 和 VDDB 均已上电(有关各个 UVLO 工作模式的更多信息,请参阅节 8.3.1)。表 8-3 展示了 INA、INB 和 DIS 以及相应输出状态下的工作状况。
输入DIS输出备注
INAINBOUTAOUTB
LLLLL如果使用死区时间功能,则死区时间结束后会发生输出转换。请参阅节 8.4.2
LHLLH
HLLHL
HHLLLDT 使用 RDT 进行编程。
HHLHHDT 引脚会被拉高至 VCCI
保留开路保留开路LLL
XXHLL连接到远距离微控制器时,可靠近 DIS 引脚放置不小于 1 nF 的低 ESR/ESL 电容器进行旁路。
“X”表示 L、H 或保留开路。
为了提高抗噪性能,TI 建议在不使用时将 INA、INB 和 DIS 引脚连接到 GND 并将 DT 引脚连接到 VCCI。