ZHCSNS8A
april 2022 – june 2023
UCC21717-Q1
PRODUCTION DATA
1
1
特性
2
应用
3
说明
4
Revision History
5
Pin Configuration and Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Power Ratings
6.6
Insulation Specifications
6.7
Safety Limiting Values
6.8
Electrical Characteristics
6.9
Switching Characteristics
6.10
Insulation Characteristics Curves
6.11
Typical Characteristics
7
Parameter Measurement Information
7.1
Propagation Delay
7.1.1
Non-Inverting and Inverting Propagation Delay
7.2
Input Deglitch Filter
7.3
Active Miller Clamp
7.3.1
Internal Active Miller Clamp
7.4
Undervoltage Lockout (UVLO)
7.4.1
VCC UVLO
7.4.2
VDD UVLO
7.5
Overcurrent (OC) Protection
7.5.1
OC Protection with Soft Turn-OFF
7.6
Soft Turn-Off Triggered by RST/EN
7.6.1
Soft Turn-Off Triggered by RST/EN
8
Detailed Description
8.1
Overview
8.2
Functional Block Diagram
8.3
Feature Description
8.3.1
Power Supply
8.3.2
Driver Stage
8.3.3
VCC and VDD Undervoltage Lockout (UVLO)
8.3.4
Active Pulldown
8.3.5
Short Circuit Clamping
8.3.6
Internal Active Miller Clamp
8.3.7
Overcurrent and Short Circuit Protection
8.3.8
Soft Turn-Off
8.3.9
Fault (FLT), Reset and Enable (RST/EN)
8.3.10
Isolated Analog to PWM Signal Function
8.4
Device Functional Modes
9
Applications and Implementation
9.1
Application Information
9.2
Typical Application
9.2.1
Design Requirements
9.2.2
Detailed Design Procedure
9.2.2.1
Input Filters for IN+, IN-, and RST/EN
9.2.2.2
PWM Interlock of IN+ and IN-
9.2.2.3
FLT, RDY, and RST/EN Pin Circuitry
9.2.2.4
RST/EN Pin Control
9.2.2.5
Turn-On and Turn-Off Gate Resistors
9.2.2.6
Overcurrent and Short Circuit Protection
9.2.2.6.1
Protection Based on Power Modules with Integrated SenseFET
9.2.2.6.2
Protection Based on Desaturation Circuit
9.2.2.6.3
Protection Based on Shunt Resistor in Power Loop
9.2.2.7
Isolated Analog Signal Sensing
9.2.2.7.1
Isolated Temperature Sensing
9.2.2.7.2
Isolated DC Bus Voltage Sensing
9.2.2.8
Higher Output Current Using an External Current Buffer
10
Power Supply Recommendations
11
Layout
11.1
Layout Guidelines
11.2
Layout Example
12
Device and Documentation Support
12.1
Device Support
12.1.1
第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
12.2
Documentation Support
12.2.1
Related Documentation
12.3
Receiving Notification of Documentation Updates
12.4
支持资源
12.5
Trademarks
12.6
静电放电警告
12.7
术语表
13
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
DW|16
MSOI003I
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
DW|16
QFND505A
订购信息
zhcsns8a_oa
zhcsns8a_pm
1
特性
5.7kV
RMS
单通道隔离式栅极驱动器
符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
器件温度等级 0:-40°C 至 +150°C 环境工作温度范围
器件 HBM ESD 分类等级 3A
器件 CDM ESD 分类等级 C6
功能安全质量管理型
有助于进行功能安全系统设计的文档
可提供用于功能安全系统设计的文档
高达 2121V
pk
的 SiC MOSFET 和 IGBT
33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
±10A 驱动强度和分离输出
150V/ns 最小 CMTI
具有 270 ns 快速响应时间的过流保护
4A 内部有源米勒钳位
故障状况下 400 mA 软关断
具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
高电压直流链路或相电压
过流警报
FLT
和通过
RST
/EN 重置
使用
RST
/EN 禁用器件会触发软关断
抑制输入引脚上的 <40 ns 噪声瞬态和脉冲
RDY 上的 12V VDD UVLO(具有电源正常指示功能)
具有高达 5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
130 ns(最大)传播延迟和 30 ns(最大)脉冲/器件间偏移
SOIC-16 DW 封装,爬电距离和间隙 > 8mm
工作结温范围:-40°C 至 +150°C
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