ZHCSON5 april 2023 UCC21756-Q1
PRODUCTION DATA
UCC21756-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。UCC21756-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。
输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移,共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。
UCC21756-Q1 包括先进的保护特性,如快速过流和短路检测、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源 UVLO(用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性)。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压检测,从而进一步提高驱动器的多功能性并较少系统设计工作量、尺寸和成本。
器件型号 | 封装(1) | 封装尺寸(标称值) |
---|---|---|
UCC21756-Q1 | SOIC-16 | 10.3mm × 7.5mm |