ZHCSLM8B August 2020 – February 2024 UCC21759-Q1
PRODUCTION DATA
UCC21759-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,旨在用于 SiC MOSFET 和 IGBT,工作电压高达 900V(直流),具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。UCC21759-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。
输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 636VRMS 的工作电压、超过 40 年的隔离栅寿命、6kVPK 的浪涌抗扰度,并提供较低的器件间偏斜和 >150V/ns 的共模噪声抗扰度 (CMTI)。
UCC21759-Q1 包含先进的保护特性,如快速短路检测、故障报告、有源米勒钳位以及针对 SiC 和 IGBT 功率晶体管优化的输入和输出侧电源 UVLO。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压检测,从而进一步提高驱动器的多功能性并较少系统设计工作量、尺寸和成本。
器件型号 | 封装(1) | 封装尺寸(标称值) |
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UCC21759-Q1 | DW (SOIC-16) | 10.3mm × 7.5mm |