ZHCSPL3B October 2023 – July 2024 UCC25660
PRODUCTION DATA
ZCS 保护的目标是确保 MOSFET 可以在电流反转之前关断,从而消除 MOSFET 体二极管硬反向恢复的可能性。这可以提高功率级的可靠性。最小关断电流应设置为一定的阈值,这样可以增加在该情况下实现 ZVS 开关或近 ZVS 开关的机会。
结合会同时关注压摆完成信号和 IPOL 信号的死区时间引擎,我们可以确保对向 MOSFET 在 Vds 电压的谷点导通,从而实现更低的导通损耗。
当运行接近电感/电容边界时,谐振电流会在栅极关断之前减小。如果 ISNS 波形小于 VISNS_ZCS 阈值,则栅极脉冲会提前终止,而不是等待 VCR 波形越过 VTH 或 VTL 边界。这种提前终止方案能够在栅极关断沿产生足够的谐振电流,以便在死区时间内驱动 ZVS 转换。
ISNS 信号会馈送到两个 ZCS 比较器。由于 HO 导通时和 LO 导通时有专用的比较器,因此另一个比较器输出会被忽略。
谐振电流的形状远低于谐振频率,会对检测谐振电流波形的正确下降沿造成一些挑战。UCC25660x 实现有额外的逻辑,用于确保检测 ISNS 信号的正确下降沿,从而避免误跳。
为了提高抗噪声稳健性,ISNS ZCS 比较器会在 HO 或 LO 栅极的上升沿被消隐。VCR 比较器和 ISNS ZCS 比较器使用相同的消隐时间 tleb。
检测到 ZCS 事件时,内部软启动斜坡电压会缓慢降低。当内部软启动斜降时,开关频率也会被强制进一步增加,从而强制系统退出容性区域。
如果 ZCS 情况持续,控制器会停止开关操作并转为故障状态。可配置的超时用来声明 ZCS 持续故障情况。