ZHCSPL3B October   2023  – July 2024 UCC25660

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输入功率比例控制
        1. 7.3.1.1 电压前馈
      2. 7.3.2 VCR 合成器
      3. 7.3.3 反馈链(控制输入)
      4. 7.3.4 自适应死区时间
      5. 7.3.5 输入电压检测
        1. 7.3.5.1 过压保护和欠压保护阈值及选项
        2. 7.3.5.2 输出 OVP 和外部 OTP
      6. 7.3.6 谐振回路电流检测
    4. 7.4 保护功能
      1. 7.4.1 零电流开关 (ZCS) 保护
      2. 7.4.2 软启动期间的最小电流关断
      3. 7.4.3 逐周期电流限制和短路保护
      4. 7.4.4 过载 (OLP) 保护
      5. 7.4.5 VCC OVP 保护
    5. 7.5 器件功能模式
      1. 7.5.1 启动
        1. 7.5.1.1 有 HV 启动
        2. 7.5.1.2 无 HV 启动
      2. 7.5.2 软启动斜坡
        1. 7.5.2.1 启动到调节的转换
      3. 7.5.3 轻负载管理
        1. 7.5.3.1 工作模式(突发模式)
        2. 7.5.3.2 模式转换管理
        3. 7.5.3.3 突发模式阈值编程
        4. 7.5.3.4 PFC 开/关
      4. 7.5.4 X 电容器放电
        1. 7.5.4.1 仅通过 HV 引脚进行检测
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1  LLC 功率级要求
        2. 8.2.2.2  LLC 增益范围
        3. 8.2.2.3  ‌选择 Ln 和 Qe
        4. 8.2.2.4  确定等效负载电阻
        5. 8.2.2.5  确定 LLC 谐振电路的元件参数
        6. 8.2.2.6  LLC 初级侧电流
        7. 8.2.2.7  LLC 次级侧电流
        8. 8.2.2.8  LLC 变压器
        9. 8.2.2.9  LLC 谐振电感器
        10. 8.2.2.10 LLC 谐振电容器
        11. 8.2.2.11 LLC 初级侧 MOSFET
        12. 8.2.2.12 自适应死区时间的设计注意事项
        13. 8.2.2.13 LLC 整流器二极管
        14. 8.2.2.14 LLC 输出电容器
        15. 8.2.2.15 HV 引脚串联电阻器
        16. 8.2.2.16 BLK 引脚分压器
        17. 8.2.2.17 ISNS 引脚微分器
        18. 8.2.2.18 TSET 引脚
        19. 8.2.2.19 OVP/OTP 引脚
        20. 8.2.2.20 突发模式编程
        21. 8.2.2.21 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 VCCP 引脚电容器
      2. 8.3.2 引导电容器
      3. 8.3.3 V5P 引脚电容器
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
        1. 8.4.2.1 原理图
        2. 8.4.2.2 原理图
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、包装和订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

布局指南

  • 除了储能电解电容器以外,还应在 VCCP 引脚上放置一个 2.2µF 陶瓷电容器。该 2.2µF 陶瓷电容器应尽量靠近 VCC 引脚。
  • 最小引导电容器 CB 建议为 0.1µF。需根据最小突发频率确定引导电容器的最小值。引导电容器应足够大,以便在最低突发频率期间保持自举电压。请参阅电气表中的引导漏电流。
  • 信号接地和电源接地应单点连接。建议将电源接地连接到 LLC 输入大容量电容器的负端子。
  • ISNS、BLK、LL、BW/OTP 的滤波电容器应尽量靠近引脚。
  • FB 布线应尽量短
  • 为 ISNS 电容器使用薄膜电容器或 C0G、NP0 陶瓷电容器,以实现低失真
  • 在 VCCP 引脚上增加必要的滤波电容器,以过滤掉偏置绕组波形上的高峰值。
  • 保持必要的高电压间隙和爬电距离。
  • 如果 HV 引脚上需要 2kV HBM ESD 等级,则可以在 HV 引脚到接地之间放置一个 100pF 电容器,用于传递高达 2kV 的 HBM ESD。