ZHCSVO2D June 2008 – July 2024 UCC27200-Q1
PRODUCTION DATA
UCC27200-Q1 高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可更大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。
由于在芯片上集成了一个自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,如果驱动电压低于规定的阈值,则强制将输出置为低电平。
UCC27200-Q1 具有高抗噪 CMOS 输入阈值。
该器件采用 8 引脚 SO PowerPAD™ (DDA) 封装。
器件型号 | 封装(1) | 本体尺寸(标称值) |
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UCC27200-Q1 | DDA(PowerPADTM SOIC,8) | 4.9mm × 3.9mm |