ZHCSVO2D June   2008  – July 2024 UCC27200-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. Pin Configuration and Functions
  6. Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Switching Characteristics
    7. 5.7 Timing Diagrams
    8. 5.8 Typical Characteristics
  7. Detailed Description
    1. 6.1 Overview
    2. 6.2 Functional Block Diagram
    3. 6.3 Feature Description
      1. 6.3.1 Input Stages
      2. 6.3.2 Undervoltage Lockout (UVLO)
      3. 6.3.3 Level Shift
      4. 6.3.4 Boot Diode
      5. 6.3.5 Output Stages
    4. 6.4 Device Functional Modes
  8. Application and Implementation
    1. 7.1 Application Information
    2. 7.2 Typical Application
      1. 7.2.1 Design Requirements
      2. 7.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 7.2.2.1 Input Threshold Type
        2. 7.2.2.2 VDD Bias Supply Voltage
        3. 7.2.2.3 Peak Source and Sink Currents
        4. 7.2.2.4 Propagation Delay
        5. 7.2.2.5 Power Dissipation
      3. 7.2.3 Application Curves
  9. Power Supply Recommendations
  10. Layout
    1. 9.1 Layout Guidelines
    2. 9.2 Layout Example
  11. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 Documentation Support
      1. 10.1.1 Related Documentation
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 Trademarks
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11Revision History
  13. 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

说明

UCC27200-Q1 高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可更大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。

由于在芯片上集成了一个自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,如果驱动电压低于规定的阈值,则强制将输出置为低电平。

UCC27200-Q1 具有高抗噪 CMOS 输入阈值。

该器件采用 8 引脚 SO PowerPAD™ (DDA) 封装。

器件信息
器件型号 封装(1) 本体尺寸(标称值)
UCC27200-Q1 DDA(PowerPADTM SOIC,8) 4.9mm × 3.9mm
有关所有可用封装,请参阅节 12
UCC27200-Q1 简化版应用示意图简化版应用示意图