ZHCS501G November 2011 – July 2024 UCC27211
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
UCC27211 器件设计用于驱动采用半桥/全桥或同步降压配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。该悬空高侧驱动器能够在高达 120V 的电源电压下工作。这可在半桥式、全桥式、推挽、两开关正激式和有源钳位正激式转换器中提供 N 沟道 MOSFET 控制。
UCC27211 器件具有 3.7A 拉电流和 4.5A 灌电流能力、出色的开关特性以及表 6-1 中列出的大量其他特性。这些特性相结合，可确保在高频开关电源电路中实现高效、稳健和可靠的运行。
| 特性 | 优势 |
|---|---|
| 3.7A 拉电流和 4.5A 灌电流 | 高峰值电流，非常适合以极小功耗驱动大功率 MOSFET（米勒平坦区域上的快速驱动能力） |
| 输入引脚（HI 和 LI）可以直接处理 –10VDC 至 20VDC 范围 | 提高了稳健性和处理下冲/过冲的能力。可直接连接到栅极驱动变压器，而无需使用整流二极管 |
| 120V 内部自举二极管 | 可提供电压裕度，以满足电信 100V 浪涌要求 |
| 开关节点（HS 引脚）能够在 100ns 内处理 –(24 – VDD)V 最大值 | 允许高侧通道获得额外保护以避免受到固有负电压引起的寄生电感和杂散电容影响。 |
| 可处理电压尖峰的强大 ESD 电路 | 出色的大 dV/dT 条件抗扰度 |
| 20ns 传播延迟，上升/下降时间为 7.2ns/5.5ns | 出色的开关特性和极低脉冲传输失真 |
| 通道间的延迟匹配时间为 4ns（典型值） | 避免电桥中的变压器伏秒偏移 |
| 对称 UVLO 电路 | 可确保同时实现高侧和低侧关断 |
| 具有更高迟滞的 TTL 优化阈值 | 模拟或数字 PWM 控制器的补充。更高迟滞可提供更强的抗噪性能 |
在 UCC27211 器件中，高侧和低侧均具有独立的输入，从而在应用中提供强大的输入控制信号灵活性。高侧驱动器辅助电源的自举二极管位于器件内部。UCC27211 是 TTL 或逻辑兼容版本。高侧驱动器以开关节点 (HS) 为基准，该节点通常是高侧 MOSFET 的源极引脚和低侧 MOSFET 的漏极引脚。低侧驱动器以 VSS 为基准（通常接地）。包含的功能有输入级、UVLO 保护、电平位移、自举二极管和输出驱动器级。