栅极驱动器的功率耗散具有两个部分，如方程式 1 中所示。

功率耗散的直流部分是 PDC = I_Q × VDD，其中 I_Q 是驱动器的静态电流。静态电流是器件消耗的用于对所有内部电路（如输入级、基准电压、逻辑电路、保护）进行偏置的电流，以及当驱动器输出更改状态（如对寄生电容进行充电和放电、寄生击穿等）时任何与内部器件开关相关联的电流。UCC27211 的静态电流极低（小于 0.17mA，请参阅电气特性表），并包含可消除输出驱动器级中任何击穿的内部逻辑。因此，可以稳妥地假定 PDC 对栅极驱动器内总功率耗散的影响是微不足道的。在开关期间栅极驱动器封装中耗散的功率 (PSW) 取决于以下因素：

• 功率器件所需的栅极电荷（通常是驱动电压 VG 的函数，非常接近于输入辅助电源电压 VDD）
• 开关频率
• 外部栅极电阻器的使用情况。使用分立式容性负载对驱动器器件进行测试时，计算辅助电源所需的功率非常简单。方程式 2 给出了为了对电容器进行充电，辅助电源必须传递的能量。
  方程式 2. EG = ½C_LOADV_DD² f_SW

  • 其中

  • C_LOAD 是负载电容器
  • V_DD 是为驱动器供电的偏置电压

对电容器进行充电时，存在等量的耗散能量。这会导致由方程式 3 给出的总功率损耗。

其中

• f_SW 是开关频率

可以通过检查对器件进行开关所需的栅极电荷，将功率 MOSFET/IGBT 表示的开关负载转换为等效电容。该栅极电荷包括输入电容的效果，以及当功率器件在导通和关断状态之间切换时使其漏极电压摆动所需的附加电荷。大多数制造商都提供用于在指定的条件下对器件进行开关的栅极电荷典型值和最大值规格（以 nC 为单位）。使用栅极电荷 Qg 可确定电容器充电时必须耗散的功率，利用公式 Q_g = C_LOAD x V_DD 计算后通过方程式 4 得出功率。

该功率 P_G 是 MOSFET/IGBT 导通或关断时电路的电阻元件中的耗散。在开通过程中对负载电容器进行充电时会耗散总功率的一半，在关闭期间对负载电容器进行放电时耗散另一半。如果在驱动器与 MOSFET/IGBT 之间没有采用外部栅极电阻器，该功率将完全耗散在驱动器封装中。在使用外部栅极驱动电阻器的情况下，功率耗散会在驱动器的内部电阻和外部栅极电阻器之间分摊。