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ZHCS501G November 2011 – July 2024 UCC27211

PRODUCTION DATA

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

5.6 开关特性

V_DD = V_HB = 12V，V_HS = V_SS = 0V，LO 或 HO 无负载，T_J = T_J = –40°C 至 +150°C（除非另有说明）。

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
传播延迟
t_DLFF	VLI 下降至 VLO 下降	C_LOAD = 0pF，从 LI 的 V_LIT 到 LO 下降的 90%	10	19	30	ns
t_DHFF	VHI 下降至 VHO 下降	C_LOAD = 0pF，从 HI 的 V_LIT 到 HO 下降的 90%	10	19	30	ns
t_DLRR	VLI 上升至 VLO 上升	C_LOAD = 0pF，从 LI 的 V_HIT 到 LO 上升的 10%	10	20	40	ns
t_DHRR	VHI 上升至 VHO 上升	C_LOAD = 0pF，C_LOAD = 0pF，从 HI 的 V_HIT 到 HO 上升的 10%	10	20	40	ns
延迟匹配
t_MON	LI 开启，HI 关闭	T_J = 25°C		4	9.5	ns
t_MON	LI 开启，HI 关闭	T_J = -40°C 至 150°C		4	17	ns
t_MOFF	LI 关闭，HI 打开	T_J = 25°C		4	9.5	ns
t_MOFF	LI 关闭，HI 打开	T_J = -40°C 至 150°C		4	17	ns
输出上升和下降时间
t_{R_LO}	LO 上升时间	C_LOAD = 1000pF，从 10% 到 90%		7.2		ns
t_{R_HO}	HO 上升时间	C_LOAD = 1000pF，从 10% 到 90%		7.2		ns
t_{F_LO}	LO 下降时间	C_LOAD = 1000pF，从 10% 到 90%		5.5		ns
t_{F_HO}	HO 下降时间	C_LOAD = 1000pF，从 10% 到 90%		5.5		ns
t_{R_LO_p1}	LO 上升时间（3V 至 9V）	C_LOAD = 0.1μF（3V 至 9V）		0.27	0.6	μs
t_{R_HO_p1}	HO 上升时间（3V 至 9V）	C_LOAD = 0.1μF（3V 至 9V）		0.27	0.6	μs
t_{F_LO_p1}	LO 下降时间（9V 至 3V）	C_LOAD = 0.1μF（9V 至 3V）		0.16	0.4	μs
t_{F_HO_p1}	HO 下降时间（9V 至 3V）	C_LOAD = 0.1μF（9V 至 3V）		0.16	0.4	μs
其他
t_{IN_PW}	可改变输出 LO 的最小输入脉冲宽度				40	ns
t_{IN_PW}	可改变输出 HO 的最小输入脉冲宽度				40	ns
t_{OFF_BSD}	自举二极管关断时间⁽¹⁾⁽²⁾	I_F = 20mA，I_REV = 0.5A⁽³⁾		20		ns

(1) 未经量产测试的参数。

(2) T_A = 25°C 的典型值。

(3) I_F：施加到自举二极管的正向电流，I_REV：施加到自举二极管的反向电流。