1 特性

• 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
• 最大引导电压 120V 直流
• 4A 吸收，4A 源输出电流
• 0.9Ω 上拉和下拉电阻
• 输入引脚能够耐受 –10V 至 +20V 的电压，并且与电源电压范围无关
• 晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 或伪 CMOS 兼容输入版本
• 8V 至 17V VDD 运行范围（绝对最大值 20V）
• 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间（采用 1000pF 负载时）
• 快速传播延迟时间（典型值 20ns）
• 4ns 延迟匹配
• 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
• 支持全部行业标准封装
  • SOIC-8
  • 4mm × 4mm 小外形尺寸无引线 (SON)-8 封装
  • 4mm × 4mm 小外形尺寸无引线 (SON)-10 封装
• －40℃ 至 +140°C 的额定温度范围

2 应用

• 针对电信，数据通信和商用的电源
• 半桥和全桥转换器
• 推挽转换器
• 高电压同步降压型转换器
• 两开关正激式转换器
• 有源箝位正激式转换器
• D 类音频放大器

3 说明

UCC27211A 器件驱动器基于广受欢迎的 UCC27201 MOSFET 驱动器；但该器件相比之下具有显著的性能提升。

峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω，因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关，并且具有 20V 的最大额定值。

1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。

典型应用图

传播延迟与电源电压间的关系
(T = 25°C)