4 引脚配置和功能

图 4-1 DPR 封装SON-10顶视图

表 4-1 引脚功能

引脚		I/O	说明
编号	名称	I/O	说明
2	HB	P	高侧自举电源。自举二极管位于片上，但需要外部自举电容器。将自举电容器的正极侧连接到该引脚。HB 旁路电容器的典型范围为 0.022µF 至 0.1µF。
7	HI	I	高侧输入。⁽²⁾
3	HO	O	高侧输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
4	HS	P	高侧源极连接。连接到高侧功率 MOSFET 的源极。将自举电容器的负极侧连接到该引脚。
8	LI	I	低侧输入。⁽²⁾
10	LO	O	低侧输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
5	N/C	—	无内部连接。
6	N/C	—	无内部连接。
Pad	PowerPAD™⁽³⁾	G	以 VSS (GND) 为电气基准。连接到热质量较大的布线或 GND 平面以提高热性能。
1	VDD	P	低侧栅极驱动器的正电源。将该引脚去耦合至 VSS (GND)。典型去耦电容器范围为 0.22µF 到4.7µF。⁽¹⁾
9	VSS	G	器件的负电源端子，通常为接地。

(1) 假设 HI 或 LI 输入连接到低阻抗源信号。假设源输出阻抗小于 100Ω。如果源阻抗大于 100Ω，请在 HI 和 VSS 之间以及 LI 和 VSS 之间分别添加一个旁路电容器。添加的电容器值取决于引脚上出现的噪声水平，通常 1nF 至 10nF 应能有效消除可能的噪声影响。当 HI 或 LI 这两个引脚上出现噪声时，会导致 HO 和 LO 故障，产生错误的逻辑输出。

(2) 对于低温应用，TI 建议使用电容范围上限值。请遵循 PCB 布局的布局指南。

(3) 散热焊盘并不直接连接到封装的任何引线；而是以电气方式和热方式连接至基板，该基板是器件的接地板。