ZHCSGD6A July 2017 – July 2024 UCC27212A-Q1
PRODUCTION DATA
UCC27212A-Q1 器件设计用于驱动采用半桥和全桥或同步降压配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。浮动高侧驱动器可以在高达 120V 的电源电压下工作，可支持在半桥、全桥、推挽、两开关正激式和有源钳位正激式转换器中提供 N 沟道 MOSFET 控制。
UCC27212A-Q1 器件具有 3.7A 拉电流和 4.5A 灌电流能力、出色的开关特性以及表 6-1 中列出的大量其他特性。这些特性相结合，可确保在高频开关电源电路中实现高效、稳健和可靠的运行。
| 特性 | 优势 |
|---|---|
| 3.7A 拉电流和 4.5A 灌电流 | 高峰值电流，非常适合以极小功耗驱动大功率 MOSFET（米勒平坦区域上的快速驱动能力） |
| 输入引脚（HI 和 LI）可以直接处理 –10VDC 至 20VDC 范围 | 具备增强的稳健性且能够处理下冲和过冲，从而可以直接连接到栅极驱动变压器，而无需使用整流二极管。 |
| 120V 内部自举二极管 | 可提供电压裕度，以满足电信 100V 浪涌要求 |
| 开关节点（HS 引脚）能够在 100ns 内处理 –(24 – VDD)V 最大值 | 让高侧通道获得额外保护，以避免受到寄生电感和杂散电容引起的固有负电压的影响 |
| 可处理电压尖峰的强大 ESD 电路 | 出色的大 dV/dT 条件抗扰度 |
| 20ns 传播延迟，以及 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间 | 出色的开关特性和极低脉冲传输失真 |
| 通道间的延迟匹配时间为 4ns（典型值） | 避免电桥中的变压器伏秒偏移 |
| 对称 UVLO 电路 | 可确保同时实现高侧和低侧关断 |
| 具有更高迟滞的 TTL 优化阈值 | 模拟或数字 PWM 控制器的补充；更高迟滞可提供更强的抗噪性能 |
在 UCC27212A-Q1 器件中，高侧和低侧均具有独立的输入，从而在应用中提供强大的输入控制信号灵活性。高侧驱动器辅助电源的自举二极管位于 UCC27212A-Q1 内部。UCC27212A-Q1 是 TTL 或逻辑兼容版本。高侧驱动器以开关节点 (HS) 为基准，该节点通常是高侧 MOSFET 的源极引脚和低侧 MOSFET 的漏极引脚。低侧驱动器以 VSS 为基准（通常接地）。UCC27212A-Q1 功能分为输入级、UVLO 保护、电平位移、自举二极管和输出驱动器级。