为了改进设计的开关特性和效率，必须遵循以下布局规则。

• 将驱动器尽可能靠近 MOSFET 放置。
• 将 V_DD - V_SS 和 V_HB - V_HS（自举）电容器尽可能靠近器件放置（请参阅节 9.1）。
• 密切注意 GND 布线。通过将封装的散热焊盘连接到 VSS 引脚 (GND)，将其用作 GND。驱动器的 GND 布线直接连接到 MOSFET 的源极，但不得位于 MOSFET 漏极或源极电流的高电流路径中。
• 对 HS 节点使用与高侧驱动器的 GND 类似的规则。
• 对于使用多个 UCC27212A-Q1 器件的系统，TI 建议将专用去耦电容器放置在每个器件的 V_DD-V_SS 处。
• 必须注意避免将 VDD 布线放置在靠近 LO、HS 和 HO 信号的地方。
• 严格遵循 GND 或 HS 布线，对 LO 和 HO 使用宽布线。在可能的情况下，最好使用 60mil 至 100mil 的宽度。
• 如果驱动器输出或 SW 节点必须从一层布线到另一层，请使用至少两个或两个以上过孔。对于 GND，过孔的数量必须考虑散热焊盘要求以及寄生电感。
• 避免 LI 和 HI（驱动器输入）靠近 HS 节点或任何其他高 dV/dT 布线，因为这些布线会在阻抗相对较高的引线中引入显著的噪声。

布局不佳会导致效率显著降低或系统故障，甚至会导致整个系统的可靠性降低。