UCC27289等于栅极驱动器器件不同功能块中功率损耗的总和。本节介绍这些功率损耗构成。

1. 方程式 4 描述了静态电流（I_DD 和 I_HB）如何影响静态功率损耗 P_QC。
   方程式 4.

   此处虽未展示，但为了获得更保守的估计值，请在上述公式中增加空载运行电流 I_DDO 和 I_HBO。

2. 方程式 5 展示了高侧至低侧漏电流 (I_HBS) 如何影响电平转换器的损耗 (P_IHBS)。
   方程式 5.

   其中

   • D 是高侧 MOSFET 占空比
   • V_HB 是输入电压与自举电容器两端电压之和。
3. 方程式 6 展示了 MOSFET 栅极电荷 (Q_G) 如何影响动态损耗 P_QG。
   方程式 6.

   其中

   • Q_G 是总 MOSFET 栅极电荷
   • f_SW 为开关频率
   • R_{GD_R} 是上拉和下拉电阻的平均值
   • R_GATE 是外部栅极驱动电阻
   • R_GFET(int) 是功率 MOSFET 内部栅极电阻

   假设本示例中没有外部栅极电阻。驱动器输出部分的最大上拉和下拉电阻的平均值约为 4Ω。代入应用值，计算栅极电荷导致的动态损耗，此处为 230mW。

4. 方程式 7 展示了高侧开关期间每个开关周期中的寄生电平转换器电荷 (Q_P) 如何影响动态损耗 (P_LS)。
   方程式 7.

   为简化该示例，假设寄生电荷 Q_P 的值为 1nC。替换数值后，得出电平转换器动态损耗为 25.5mW。就电平转换器动态损耗而言，这个估计值非常高。

所有损耗总计 265.22mW，等于栅极驱动器的总损耗。如本示例所示，在大多数应用中，栅极电荷导致的动态损耗决定了栅极驱动器器件的总功率损耗。对于带自举二极管的栅极驱动器，还应估算自举二极管内的损耗。二极管正向导通损耗等于平均正向压降与平均正向电流的乘积。

方程式 8 估算了器件在给定环境温度下允许的最大功率损耗。

方程式 8.

其中

• P_MAX 是栅极驱动器器件允许的最大功率损耗
• T_J 是建议的最高工作结温
• T_A 是栅极驱动器器件的环境温度
• R_θJA 是结至环境热阻

为更好地估算应用中栅极驱动器器件的结温，建议首先准确测量外壳温度，然后确定给定应用的功率损耗。然后用 ψ_JT 来计算结温。在应用中，估算结温并测量环境温度之后，计算 θ_{JA(effective)}。然后，在项目开发阶段，如果设计参数（比如外部栅极电阻器或功率 MOSFET 的值）发生变化，则使用 θ_{JA(effective)} 来估算这些变化如何影响栅极驱动器器件的结温。

热性能信息 表汇总了驱动器封装的热指标。有关热性能信息表的详细信息，请参阅半导体和器件封装热指标 应用报告。