在高频开关电源应用中，使用 UCC27289 等高电流栅极驱动器时，寄生电感、寄生电容和高电流环路会在功率 MOSFET 的栅极上引发噪声和振铃。外部栅极电阻器通常用于抑制此类振铃和噪声。在部分应用中，栅极电荷，即栅极驱动器器件上的负载，明显大于栅极驱动器峰值输出电流能力。在此类应用中，外部栅极电阻器能够限制栅极驱动器的峰值输出电流。只要布局或应用允许，建议采用外部栅极电阻器。

使用方程式 9 来计算驱动器高侧上拉电流。

方程式 9.

其中

• I_OHH 是高侧峰值上拉电流
• V_DH 是自举二极管正向压降
• R_HOH 是栅极驱动器内部的高侧上拉电阻。数值可直接从数据表中查找，也可根据测试条件 (R_HOH = V_HOH/I_HO) 计算得出
• R_GATE 是驱动器输出和功率 MOSFET 栅极之间连接的外部栅极电阻
• R_GFET(int) 是 MOSFET 数据表提供的 MOSFET 内部栅极电阻

使用方程式 10 来计算驱动器高侧灌电流。

方程式 10.

其中

• R_HOL 是栅极驱动器内部的高侧下拉电阻

使用方程式 11 来计算驱动器低侧拉电流。

方程式 11.

其中

• R_LOH 是栅极驱动器内部的低侧上拉电阻

使用方程式 12 来计算驱动器低侧灌电流。

方程式 12.

其中

• R_LOL 是栅极驱动器内部的低侧下拉电阻

栅极驱动器高侧和低侧通道的峰值电流额定值均为 ±3A。必要时，这些公式可帮助降低峰值电流。为比较不同上升时间值与下降时间值，外部栅极电阻器可与二极管电阻器组合反向并联，如图 8-1 所示。一般而言，外部栅极电阻器的理想值或配置选择是一个迭代过程。有关选择外部栅极电阻器的更多信息，请参阅栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南