ZHCSN25A December 2020 – May 2022 UCC27289
PRODUCTION DATA
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
- DRC|10
订购信息
5 引脚配置和功能
图 5-1 D 封装8 引脚 SOIC顶视图
图 5-3 DRM 封装8 引脚 SON顶视图
图 5-2 DRC 封装10 引脚 SON顶视图
图 5-4 DPR 封装10 引脚 SON顶视图引脚功能
| 引脚 | I/O(1) | 说明 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 名称 | DRC | DRM | DPR | D | ||
| EN | 6 | 不适用 | 不适用 | 不适用 | I | 使能输入。当该引脚被拉高时，它将启用驱动器。如果保持悬空或被拉低，它将禁用驱动器。对于高噪声系统，建议使用 1nF 滤波电容器。 |
| HB | 3 | 2 | 2 | 2 | P | 高侧自举电源。自举二极管位于片上，但需要外部自举电容器才能从 VDD 生成自举电源。将自举电容器的正极侧和外部二极管的阴极连接至该引脚。外部二极管的额定电压应为 100V（最小值）。额定电压较高的二极管也是可以接受的。HB 旁路电容的典型推荐值为 0.1μF，该值主要取决于高侧 MOSFET 的栅极电荷。 |
| HI | 7 | 5 | 7 | 5 | I | 高侧输入。 |
| HO | 4 | 3 | 3 | 3 | O | 高侧输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极或使用时的外部栅极电阻的一端。 |
| HS | 5 | 4 | 4 | 4 | P | 高侧源极连接。连接到高侧功率 MOSFET 的源极。将自举电容器的负极侧连接到该引脚。 |
| LI | 8 | 6 | 8 | 6 | I | 低侧输入 |
| LO | 10 | 8 | 10 | 8 | O | 低侧输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极或外部栅极电阻的一端（使用时）。 |
| NC | 2 | 不适用 | 5,6 | 不适用 | - | 内部未连接。 |
| VDD | 1 | 1 | 1 | 1 | P | 低侧栅极驱动器的正电源。将该引脚连接到 VSS 进行去耦。典型的去耦电容值为 1μF。当使用外部自举二极管时，将阳极连接到该引脚。如果串联电阻与自举二极管串联，则将串联自举电阻器的一端连接到该引脚，电阻器的另一端应连接到外部自举二极管的阳极。 |
| VSS | 9 | 7 | 9 | 7 | G | 器件的负电源端子，通常为系统接地。 |
| 散热焊盘 | - | - | - | 不适用 | - | 连接到热质量较大的布线（通常是 IC 接地层）以提高热性能。这只能以电气方式连接到 VSS。 |
(1) P = 电源，G = 接地，I = 输入，O = 输出，I/O = 输入/输出