为实现正常运行，自举电容器必须确保 V_HB-HS 电压高于 UVLO 阈值。使用方程式 1 来计算自举电容器允许的最大压降 ΔV_HB。

方程式 1.

其中

• V_DD 是栅极驱动器器件的电源电压
• V_DH 是自举二极管正向压降
• V_HBL 是 HB 下降阈值 (V_HBR(max) – V_HBH)

在本示例中，自举电容器的允许压降为 2.4V。

通常情况下，建议尽量降低自举电容器和 VDD 电容器上的纹波电压。商业、工业和汽车应用中的常用纹波值为 0.5V。

使用方程式 2 来估算自举电容器的每个开关周期所需的总电荷。

方程式 2.

其中

• Q_G 是总 MOSFET 栅极电荷
• I_HBS 是数据表中的 HB 至 VSS 漏电流
• D_Max 是转换器的最大占空比
• I_HB 是数据表中的 HB 静态电流

计算总电荷为 53.41nC。

接下来，使用方程式 3 估算最小自举电容值。

方程式 3.

计算出的最小自举电容值为 22.25nF。请注意，这是全偏置电压条件下所需的电容值。实际应用中，自举电容值必须大于计算值，才能确保在功率级可能因各种瞬态条件而发生脉冲跳跃的情况下正常使用。在本示例中，建议使用 100nF 自举电容器。此外，还建议预留足够的裕度，并将自举电容器尽可能靠近 HB 和 HS 引脚放置。此外，为过滤高频噪音，还应与主旁路电容器并联一个 0402、1000pF 低值小尺寸电容器。

对于该应用，请选择 C_BOOT 电容器，其规格如下：0.1µF，25V，X7R

一般而言，本地 VDD 旁路电容器必须大于自举电容器（通常为自举电容值的 10 倍）。对于该应用，请选择 C_VDD 电容器，其规格如下：1µF，25V，X7R

C_VDD 电容器位于栅极驱动器的 VDD 和 VSS 引脚之间。与自举电容器类似，将小尺寸低值电容器与主旁路电容器并联。对于该应用，为过滤高频噪音，请选用 0402、1000pF 电容器，并与主旁路电容器并联。

自举电容器和偏置电容器必须是具有 X7R 或更优电介质的陶瓷型电容器。选择的电容器额定电压应至少为其将承受最大电压的两倍。选择该值是因为大多数陶瓷电容器在偏置时会大幅损失电容。该值还可提高系统的长期可靠性。