ZHCSWM2 June   2024 UCC27524

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 说明(续)
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议的工作条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 工作电源电流
      2. 7.3.2 输入级
      3. 7.3.3 使能功能
      4. 7.3.4 输出级
      5. 7.3.5 低传播延迟和紧密匹配的输出
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 VDD 和欠压锁定
        2. 8.2.2.2 驱动电流和功率损耗
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
    3. 10.3 散热注意事项
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • D|8
  • P|8
  • DGN|8
  • DSD|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电气特性

除非另有说明,否则 VDD = 12V,TA = TJ = –40°C 至 150°C,VDD 和 GND 之间连接 1µF 电容器,并且输出上没有负载。典型条件规格均在 25°C 下测得。
参数测试条件最小值典型值最大值单位
偏置电流(D、DGN)
IVDDqVDD 静态电源电流VINx = 3.3V,VDD = 3.4V,ENx = VDD300450μA
IVDDVDD 静态电源电流VINx = 3.3V,ENx = VDD0.61.0mA
IVDDVDD 静态电源电流VINx = 0V,ENx = VDD0.71.0mA
IVDDOVDD 工作电流fSW = 1000kHz,ENx = VDD,VINx = 0V 至 3.3V PWM3.23.8mA
IDISVDD 禁用电流VINx = 3.3V,ENx = 0V0.81.1mA
偏置电流 (DSD)
IDD(off) 启动电流 VDD = 3.4V,
INA = VDD
INB = VDD
55 110 175 μA
VDD = 3.4V,
INA = GND,
INB = GND
25 75 145
欠压锁定 (UVLO)(D、DGN)
VVDD_ONVDD UVLO 上升阈值3.84.14.4V
VVDD_OFFVDD UVLO 下降阈值3.53.84.1V
VVDD_HYSVDD UVLO 迟滞0.3V
欠压锁定 (UVLO) (DSD)
VON 电源启动阈值 TJ = 25°C 3.91 4.2 4.5 V
TJ = -40°C 至 140°C 3.7 4.2 4.65
VOFF 电源启动后的最小工作电压 3.4 3.9 4.4
VDD_H 电源电压迟滞 0.2 0.3 0.5
输入(INA、INB)(D、DGN)
VINx_H输入信号高阈值输出高电平,ENx = HIGH1.822.3V
VINx_L输入信号低阈值输出低电平,ENx = HIGH0.811.2V
VINx_HYS输入信号迟滞1V
RINxINx 引脚下拉电阻INx = 3.3V120
输入(INA、INB)(DSD)
VIN_H 输入信号高阈值 同相输入引脚的输出为高电平
反相输入引脚的输出为低电平
1.9 2.1 2.3 V
VIN_L 输入信号低阈值 同相输入引脚的输出为低电平
反相输入引脚的输出为高电平
1 1.2 1.4
VIN_HYS 输入迟滞 0.7 0.9 1.1
使能(ENA、ENB)(D、DGN)
VENx_H使能信号高电平阈值输出高电平,INx = HIGH1.822.3V
VENx_L使能信号低电平阈值输出低电平,INx = HIGH0.811.2V
VENx_HYS使能信号迟滞1V
RENxEN 引脚上拉电阻ENx = 0V200
使能(ENA、ENB)(DSD)
VEN_H 使能信号高电平阈值 输出被启用 1.9 2.1 2.3 V
VEN_L 使能信号低电平阈值 输出被禁用 0.95 1.15 1.35
VEN_HYS 使能迟滞 0.7 0.95 1.1
输出(OUTA、OUTB)(D、DGN)
ISRC(1)峰值输出拉电流VDD = 12V,CVDD = 10µF,CL = 0.1µF,f = 1kHz5A
ISNK(1)峰值输出灌电流VDD = 12V,CVDD = 10µF,CL = 0.1µF,f = 1kHz-5A
ROH(2)上拉电阻IOUT = –50mA,请参阅节 7.3.458.5
ROL下拉电阻IOUT = 50mA0.61.1
输出(OUTA、OUTB)(DSD)
ISNK/SRC(1) 峰值灌电流/拉电流 CLOAD = 0.22µF,FSW = 1kHz ±5 A
VDD-VOH 高输出电压 IOUT = -10mA 0.075 V
VOL 低输出电压 IOUT = 10mA 0.01
ROH(2) 输出上拉电阻 IOUT = -10mA 2.5 5 7.5
ROL 输出下拉电阻 IOUT = 10mA 0.15 0.5 1
未经量产测试的参数。
此表中的输出上拉电阻是一个直流测量值,它仅测量 PMOS 结构的电阻,而不是 N 沟道结构的电阻。