UCC27524 器件输出级的上拉电阻采用独特的架构，能够在特别需要时，也就是在电源开关导通转换的米勒平台区域期间（此时电源开关漏极或集电极电压经历 dv/dt）提供最高的峰值拉电流。器件输出级具有混合上拉结构，该结构使用 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 器件并行排列。通过在输出状态从低电平变为高电平的短暂片刻期间导通 N 沟道 MOSFET，栅极驱动器器件能够短暂增大峰值拉电流，从而实现快速导通。该 N 沟道 MOSFET 的导通电阻 (R_NMOS) 在激活时约为 1.04Ω。

图 7-1 UCC27524 栅极驱动器输出结构

R_OH 参数是直流测量值，仅代表 P 沟道器件的导通电阻。这是因为 N 沟道器件在直流条件下保持在关断状态，并且仅在输出状态从低电平变为高电平时短暂导通。请注意，在该短暂导通期间，UCC27524 上拉级的有效电阻远低于 R_OH 参数所表示的有效电阻。

UCC27524 器件中的下拉结构仅由 N 沟道 MOSFET 组成。R_OL 参数也是一项直流测量值，表示器件下拉级的阻抗。

UCC27524 器件的每个输出级都能提供 5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流脉冲。输出电压在 VDD 和 GND 之间摆动，由于 MOS 输出级具有极低的压降，因此能够实现轨到轨运行。MOSFET 体二极管的存在还为瞬态过冲和下冲提供低阻抗。这些驱动器的输出能够承受 5A 的峰值反向瞬态电流，而不会造成器件损坏。

UCC27524 器件尤其适用于双极性、对称驱动栅极变压器应用，在这种应用中，变压器的初级绕组由 OUTA 和 OUTB 驱动，输入 INA 和 INB 互为补充。这是可能的，因为这些器件的 MOS 输出级在高电平 (V_OH) 和低电平 (V_OL) 状态下都能提供极低压降，而且驱动器输出级的阻抗也较低。所有这些特性均可缓解人们对变压器退磁和磁通不平衡问题的担忧。低传播延迟也可确保针对高频应用的适当复位。

对于在功率 MOSFET 导通或关断间隔期间具有零电压开关的应用，即使不存在米勒平台区域，该驱动器也能提供高峰值电流以实现快速开关。这种情况通常发生在同步整流器应用中，因为体二极管通常在功率 MOSFET 接通之前就已导通。