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ZHCS446C September 2011 – July 2024 UCC28063

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

D|16
- MPDS178G

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

6.5 电气特性

VCC = 16V，AGND = PGND = 0V，VINAC = 3V，VSENSE = 6V，HVSEN = 3V，PHB = 5V，R_TSET = 133kΩ，所有电压均以 GND 为基准，所有输出均为空载，−40°C < T_J = T_A < 125°C，进入指定端子的电流为正电流，从指定端子流出的电流为负电流，除非另有说明。

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
VCC 辅助电源
VCC_SHUNT	VCC 分流电压⁽¹⁾	I_VCC = 10mA	22	24	26	V
I_VCC(ULVO)	VCC 电流 (UVLO)	导通前 VCC = 11.4V		95	200	µA
I_VCC(stby)	VCC 电流（已禁用）	VSENSE = 0V		100	200	µA
I_VCC(on)	VCC 电流（已启用）	VSENSE = 2V		5	8	mA
欠压锁定 (UVLO)
VCC_ON	VCC 开启阈值	VCC 上升	11.5	12.6	13.5	V
VCC_OFF	VCC 关闭阈值	VCC 下降	9.5	10.35	11.5
	UVLO 迟滞		1.85	2.15	2.45
基准
V_REF	VREF 输出电压（空载）	I_VREF = 0mA	5.82	6.00	6.18	V
	VREF 随负载的变化	0mA ≤ I_VREF ≤ −2mA		-1	-6	mV
	VREF 随 VCC 的变化	12V ≤ VCC ≤ 20V		2	10	mV
误差放大器
VSENSEreg25	VSENSE 输入稳压电压	T_A = 25°C	5.85	6	6.15	V
VSENSEreg	VSENSE 输入稳压电压		5.82	6	6.18	V
I_VSENSE	VSENSE 输入偏置电流	调节中	50	100	150	nA
V_ENAB	VSENSE 使能阈值（上升）		1.15	1.25	1.35	V
	VSENSE 使能迟滞		0.02	0.07	0.15
V_COMPCLMP	COMP 高电压（钳位）	VSENSE = VSENSEreg – 0.3V	4.70	4.95	5.10
	COMP 低电压（饱和）	VSENSE = VSENSEreg + 0.3V		0.03	0.125
g_M	VSENSE 到 COMP 跨导（小信号）	0.99(VSENSEreg) < VSENSE < 1.01(VSENSEreg)，COMP = 3V	40	55	70	µS
	用于启用 COMP 大信号增益的 VSENSE 上升阈值（百分比）	相对于 VSENSEreg，COMP = 3V	3.25%	5%	6.75%
	用于启用 COMP 大信号增益的 VSENSE 下降阈值（百分比）	相对于 VSENSEreg，COMP = 3V	-3.25%	-5%	-6.75%
	VSENSE 到 COMP 跨导（大信号）	VSENSE = VSENSEreg – 0.4V， COMP = 3V	210	290	370	µS
	VSENSE 到 COMP 跨导，大信号	VSENSE = VSENSEreg + 0.4V， COMP = 3V	210	290	370	µS
	COMP 最大源电流	VSENSE = 5V，COMP = 3V	-80	-125	-170	µA
R_COMPDCHG	COMP 放电电阻	HVSEN = 5.2V，COMP = 3V	1.6	2	2.4	kΩ
I_DODCHG	压降期间的 COMP 放电电流	VSENSE = 5V，VINAC = 0.3V	3.2	4	4.8	µA
V_{LOW_OV}	VSENSE 过压阈值（上升）	相对于 VSENSEreg	7%	8%	10%
	VSENSE 过压迟滞	相对于 V_{LOW_OV}	-1.5%	-2%	-3%
V_{HIGH_OV}	VSENSE 二级过压阈值（上升）	相对于 VSENSEreg	10.5%	11.3%	14%
软启动
V_SSTHR	COMP 软启动阈值（下降）	VSENSE = 1.5V	15	23	30	mV
I_SS,FAST	COMP 软启动电流（快速）	SS 状态，V_ENAB < VSENSE < VREF/2	-80	-125	-170	µA
I_SS,SLOW	COMP 软启动电流（慢速）	SS 状态，VREF/2 < VSENSE < 0.88VREF	-11.5	-16	-20	µA
K_EOSS	VSENSE 软启动结束阈值系数	VSENSEreg 百分比	96.5%	98.3%	99.8%
输出监控
V_PWMCNTL	到 PWMCNTL 的 HVSEN 阈值	HVSEN 上升	2.35	2.50	2.65	V
I_HVSEN	HVSEN 输入偏置电流（高电平）	HVSEN = 3V		±0.03	±0.5	µA
I_{HV_HYS}	HVSEN 迟滞偏置电流（低电平）	HVSEN = 2V	9.2	11.4	14	µA
V_{HV_OV_FLT}	过压故障的 HVSEN 阈值	HVSEN 上升	4.64	4.87	5.1	V
V_{HV_OV_CLR}	过压清除的 HVSEN 阈值	HVSEN 下降	4.45	4.67	4.8
V_{COMP_PHFOFF}	相位故障监测禁用阈值	COMP 下降	0.21	0.225	0.25
V_{COMP_PHFHYS}	相位故障监测迟滞	COMP 上升		0.051
	PWMCNTL 输出电压（低电平）	HVSEN = 3V、I_PWMCNTL = 5mA 且 COMP = 0V		0.2	0.5
t_PHFDLY	相位故障到 PWMCNTL 高电平的滤波时间	PHB = 5V、ZCDA 开关、 ZCDB = 0.5V 且 COMP = 3V	7.9	12	17	ms
I_{PWMCNTL_LEAK}	PWMCNTL 漏电流（高电平）	HVSEN = 2V、PWMCNTL = 15V		±0.03	±0.5	µA
栅极驱动⁽²⁾
	GDA、GDB 输出电压（高电平）	I_GDA、I_GDB = −100mA	11.5	12.4	15	V
	GDA、GDB 导通电阻（高电平）	I_GDA、I_GDB = −100mA		8.8	14	Ω
	GDA、GDB 输出电压（低电平）	I_GDA、I_GDB = 100mA		0.18	0.32	V
	GDA、GDB 导通电阻（低电平）	I_GDA、I_GDB = 100mA		2	3.2	Ω
	GDA、GDB 输出电压高电平（钳位）	VCC = 20V，I_GDA、I_GDB = −5mA	12	13.5	15	V
	GDA、GDB 输出电压高电平（低 VCC）	VCC = 12V，I_GDA、I_GDB = −5mA	10	10.5	11.5	V
	上升时间	1V 至 9V，C_LOAD = 1nF		18	30	ns
	下降时间	9V 至 1V，C_LOAD = 1nF		12	25	ns
	GDA、GDB 输出电压 (UVLO)	VCC = 3.0V，I_GDA、I_GDB = 2.5mA		100	200	mV
零电流检测器
	ZCDA、ZCDB 电压阈值（下降）		0.8	1	1.2	V
	ZCDA、ZCDB 电压阈值（上升）		1.5	1.7	1.9
	ZCDA、ZCDB 钳位（高电平）	I_ZCDA = +2mA，I_ZCDB = +2mA	2.6	3	3.4
	ZCDA、ZCDB 钳位（低电平）	I_ZCDA = -2mA，I_ZCDB = -2mA	0	-0.2	-0.4
	ZCDA、ZCDB 输入偏置电流	ZCDA = 1.4V，ZCDB = 1.4V		±0.03	±0.5	µA
	ZCDA、ZCDB 到 GDA、GDB 输出的延迟⁽²⁾	从 ZCDx 输入下降至 1V 到相应栅极驱动输出上升 10%		50	100	ns
	ZCDA 消隐时间⁽³⁾	从 GDA 上升到 GDA 下降		100
	ZCDB 消隐时间⁽³⁾	从 GDB 上升到 GDB 下降		100
电流检测
	CS 输入偏置电流（双相）	上升阈值时	-120	-166	-200	µA
	CS 电流限制上升阈值（双相）	PHB = 5V	-0.18	-0.2	-0.22	V
	CS 电流限值上升阈值（单相）	PHB = 0V	-0.149	-0.166	-0.183
	CS 电流限制复位下降阈值		-0.003	-0.015	-0.025
	CS 电流限制响应时间⁽²⁾	从 CS 超过阈值 −0.05V 到 GDx 下降 10%		60	100	ns
	CS 消隐时间	从 GDx 上升沿和下降沿		100		ns
VINAC 输入
I_VINAC	VINAC 输入偏置电流（高于欠压）	VINAC = 2V		±0.03	±0.5	µA
V_BODET	VINAC 欠压检测阈值	VINAC 下降	1.33	1.39	1.44	V
t_BODLY	VINAC 欠压滤波时间	VINAC 低于欠压检测阈值的欠压滤波时间	340	440	540	ms
V_BOHYS	VINAC 欠压阈值迟滞	VINAC 上升	30	62	75	mV
I_BOHYS	VINAC 欠压迟滞电流	VINAC = 1V（对于 > t_BODLY）	1.6	2	2.5	µA
V_DODET	VINAC 压降检测阈值	VINAC 下降	0.315	0.35	0.38	V
t_DODLY	VINAC 压降滤波时间	VINAC 低于压降检测阈值的压降滤波时间	3.5	5	7	ms
V_DOCLR	VINAC 压降清除阈值	VINAC 上升	0.67	0.71	0.75	V
脉宽调制器
K_T	导通时间因子（A 相和 B 相）	VSENSE = 5.8V⁽⁴⁾	3.6	4.0	4.4	µs/V
K_TS	导通时间因子（单相，A）	VSENSE = 5.8V，PHB = 0V⁽⁴⁾	7.2	8.0	8.9	µs/V
	B 相至 A 相导通时间匹配误差	VSENSE = 5.8V		±2%	±6%
	过零失真校正额外导通时间	COMP = 0.25V，VINAC = 1V	1.2	2	2.8	µs
	过零失真校正额外导通时间	COMP = 0.25V，VINAC = 0.1V	12.6	20	29	µs
V_PHBF	PHB 阈值下降至单相运行	至 GDB 输出关断，VINAC = 1.5V	0.7	0.8	0.9	V
V_PHBR	PHB 阈值上升至两相运行	至 GDB 输出运行，VINAC = 1.5V	0.9	1	1.1	V
T_MIN	最小开关周期	R_TSET = 133kΩ⁽⁴⁾	1.7	2.2	3	µs
T_START	PWM 重新启动时间	ZCDA = ZCDB = 2V⁽⁵⁾	165	210	265	µs
热关断
T_J	热关断温度	温度上升⁽⁶⁾		160		°C
T_J	热重启温度	温度下降⁽⁶⁾		140		°C

(1) VCC 输入电压和电流过高会损坏器件。该钳位无法保护器件免受非稳压辅助电源的影响。如果使用非稳压辅助电源，建议使用串联固定正电压稳压器，例如 UA78L15A。有关 VCC 电压、电流和结温的限制，请参阅“绝对最大额定值”表。

(2) 有关典型栅极驱动波形，请参阅“典型特性”的图 6-13、图 6-14、图 6-15 和图 6-16。

(3) ZCD 消隐时间由设计确保。

(4) 栅极驱动导通时间与 (V_COMP – 0.125V) 成正比。导通时间比例因子 K_T 会随着 R_TSET 的值呈线性变化，并且在两相和单相模式下是不同的。最小开关周期与 R_TSET 成正比。

(5) 如果在重启时间内未检测到 ZCDA 和 ZCDB 负向边沿，则会在 GDA 和 GDB 上生成一个输出导通时间信号。在单相模式下，重启时间适用于 ZCDA 输入和 GDA 输出。

(6) 当温度高于正常工作范围时，会发生热关断。超出正常工作温度时的器件性能未做规定或保证。