ZHCS446C September 2011 – July 2024 UCC28063
PRODUCTION DATA
该 IC 通过 VCC 引脚接收所有电源。在 PFC 级的所有工作条件下，该电压还应尽可能保持稳定。可以考虑从下游直流/直流级为该级创建稳态偏置，该直流/直流级通常能够提供电压非常稳定的偏置绕组。这种策略将提高生成偏压的整体效率。一个效率较低的替代方案是考虑使用串联的固定正电压稳压器，例如 UA78L15A。
在所有正常和异常运行条件下，VCC 都要保持在其建议的电压和输入电流工作范围内，这一点至关重要。VCC 过压可能会导致内部电压钳位中出现过多的功率耗散，而欠压可能会导致功率 MOSFET 的驱动电平不足、UVLO 事件（导致 PFC 运行中断）或者各种片上线性稳压器和基准的余量不足。
另请注意，MOSFET 栅极驱动所需的高 RMS 和峰值电流是通过 IC 13.5V 线性稳压器提供的，该稳压器不支持添加外部去耦电容。对于更高的功率、超高 QG 的功率 MOSFET 或高开关频率，可以考虑靠近功率 MOSFET 使用外部驱动器晶体管。这些将降低 IC 工作温度并确保不会超出 VCC 最大输入电流额定值。
在 VREF 和 AGND 之间以及 VCC 和 PGND 之间尽可能靠近 IC 放置去耦电容。这些器件应该有一些陶瓷电容，这将提供非常低的 ESR。理想情况下，PGND 和 AGND 应该星形连接在控制 IC 处，以便 PGND 和 AGND 之间的直流或高频交流电压差可以忽略不计。去耦电容器的值与 EVM 中使用的值类似或略大于这些值。
密切注意启动和关断 VCC 偏置自举电路布置，以便这些电路在施加电源期间尽早提供足够的稳压偏置电源，并在移除电源期间尽可能晚地提供足够的稳压偏置电源。确保这些启动偏置自举电路不会导致不必要的稳态功耗。