12.1.1.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案

请单击此处，通过 WEBENCH® 电源设计器使用 UCC28710 器件创建定制的设计方案。

1. 在开始阶段键入输出电压 (V_IN)、输出电压 (V_OUT) 和输出电流 (I_OUT) 要求。
2. 使用优化器拨盘优化关键设计参数，如效率、封装和成本。
3. 将生成的设计与米6体育平台手机版_好二三四 (TI) 的其他解决方案进行比较。

WEBENCH Power Designer 提供一份定制原理图以及罗列实时价格和组件可用性的物料清单。

在多数情况下，可执行以下操作：

• 运行电气仿真，观察重要波形以及电路性能
• 运行热性能仿真，了解电路板热性能
• 将定制原理图和布局方案导出至常用 CAD 格式
• 打印设计方案的 PDF 报告并与同事共享

有关 WEBENCH 工具的详细信息，请访问 www.ti.com/WEBENCH。

12.1.2.1 电容术语（以法拉为单位）

• C_BULK：CB1 _{和 C}B2 _的总输入电容。
• C_DD：VDD 引脚上所需的最小电容。
• C_OUT：所需的最小输出电容。

12.1.2.2 占空比术语

• D_MAGCC：CC 中的二次侧二极管导通占空比，0.425。
• D_MAX：MOSFET 导通时间占空比。

12.1.2.3 频率术语（以赫兹为单位）

• f_LINE：最小线路频率。
• f_MAX：转换器的目标满载最大开关频率。
• f_MIN：转换器的最小开关频率，为器件的 f_SW(min) 限值增加 15％ 裕度。
• f_SW(min)：最小开关频率（请参阅Electrical Characteristics）。

12.1.2.4 电流术语（以安培为单位）

• I_OCC：转换器目标恒流输出。
• I_PP(max)：变压器一次侧最大电流。
• I_START：启动偏置电源电流（请参阅Electrical Characteristics）。
• I_TRAN：所需的正负载阶跃电流。
• I_VSL(run)：VS 引脚运行电流（请参阅Electrical Characteristics）。

12.1.2.5 电流和电压调节术语

• K_AM：最大/最小峰值初级电流比率（请参阅Electrical Characteristics）。
• K_LC：电流调节常量（请参阅Electrical Characteristics）。

12.1.2.6 变压器术语

• L_P：变压器一次侧电感。
• N_AS：变压器辅助侧与二次侧的匝数比。
• N_PA：变压器一次侧与辅助侧的匝数比。
• N_PS：变压器一次侧与二次侧的匝数比。

12.1.2.7 功率术语（以瓦特为单位）

• P_IN：转换器的最大输入功率。
• P_OUT：转换器的满载输出功率。
• P_RSTR：VDD 启动电阻的功耗。
• P_SB：总待机功耗。
• P_{SB_CONV}：P_SB与启动电阻和缓冲器损耗的差值。

12.1.2.8 电阻术语（以 Ω 为单位）

• R_CS：一次侧电流编程电阻。
• R_ESR：输出电容器的总 ESR。
• R_PL：转换器输出端的预载电阻。
• R_S1：高侧 VS 引脚电阻。
• R_S2：低侧 VS 引脚电阻。

12.1.2.9 时间术语（以秒为单位）

• t_D：包括 MOSFET 关断延迟在内的电流感测延迟；在 MOSFET 延迟基础上增加 50ns。
• T_DMAG(min)：次级整流器的最短导通时间。
• t_ON(min)：最短 MOSFET 导通时间。
• t_R：DCM（断续导通模式）期间的谐振频率。

12.1.2.10 电压术语（以伏特为单位）

• V_BLK：用于待机功耗测量的大容量电容最高电压。
• V_{BULK（最小值）}：满功率条件下 C_B1 和 C_B2 的最低电压。
• V_OCBC：输出引脚的目标电缆补偿电压。
• V_CBC(max)：最大转换器输出电流条件下 CBC 引脚的最大电压（请参阅Electrical Characteristics）。
• V_CCR：恒流调节电压（请参阅Electrical Characteristics）。
• V_CST(max)：CS 引脚最大电流感测阈值（请参阅Electrical Characteristics）。
• V_CST(min)：CS 引脚最小电流感测阈值（请参阅Electrical Characteristics）。
• V_DD(off)：UVLO 关断电压（请参阅Electrical Characteristics）。
• V_DD(on)：UVLO 开启电压（请参阅Electrical Characteristics）。
• V_OΔ：负载阶跃瞬态期间允许的输出压降。
• V_DSPK：高压线路中的峰值 MOSFET 漏极-源极电压。
• V_F：电流接近零时的二次侧整流器正向压降。
• V_FA：辅助整流器正向压降。
• V_LK：估计的漏感能量复位电压。
• V_OCV：经稳压的转换器输出电压。
• V_OCC：恒流稳压条件下的最低目标转换器输出电压。
• V_REV：二次侧整流器的峰值反向电压。
• V_RIPPLE：满载条件下的输出峰峰值纹波电压。
• V_VSR：VS 输入处的 CV 调节电平（请参阅Electrical Characteristics）。

12.1.2.11 交流电压术语（以 V_RMS 为单位）

• V_IN(max)：转换器的最大输入电压。
• V_IN(min)：转换器的最小输入电压。
• V_IN(min)：转换器的输入启动（运行）电压。

12.1.2.12 效率术语

• η_SB：无载条件下估算的转换器效率，其中不包括启动电阻或偏置损耗。对于 5V USB 充电器应用而言，60％ 到 65％ 是很好的初步估算值。
• η：转换器总体效率。
• η_XFMR：变压器一次侧与二次侧之间的功率传输效率。

Table 2. 相关链接