11.1.1.1.1 法拉电容术语

• C_BULK：CB1 _{和 C}B2 _的总输入电容。
• C_DD：VDD 引脚上所需的最小电容。
• C_OUT：所需的最小输出电容。

11.1.1.1.2 占空比术语

• D_MAGCC：CC 中的二次侧二极管导通占空比，0.425。
• D_MAX：晶体管导通时间占空比。

11.1.1.1.3 频率术语（以赫兹为单位）

• f_LINE：最小线路频率。
• f_MAX：转换器的目标满载最大开关频率。
• f_MIN：转换器的最小开关频率，为器件的 f_SW(min) 限值增加 15％ 裕度。
• f_SW(min)：最小开关频率（请参见电气特性）。

11.1.1.1.4 电流术语（以安培为单位）

• I_OCC：转换器目标恒流输出。
• I_PP(max)：变压器一次侧最大电流。
• I_START：启动偏置电源电流（请参见电气特性）。
• I_TRAN：所需的正负载阶跃电流。
• I_VSL(run)： VS 引脚运行电流（请参见电气特性）。

• I_DRS：驱动器拉电流（请参见电气特性）。

11.1.1.1.5 电流和电压调节术语

• K_AM： 一次侧峰峰值电流比（请参见电气特性）。
• K_LC：电流调节常量（请参见电气特性）。

11.1.1.1.6 变压器术语

• L_P：变压器一次侧电感。
• N_AS：变压器辅助侧与二次侧的匝数比。
• N_PA：变压器一次侧与辅助侧的匝数比。
• N_PS：变压器一次侧与二次侧的匝数比。

11.1.1.1.7 功率术语（以瓦特为单位）

• P_IN：转换器的最大输入功率。
• P_OUT：转换器的满载输出功率。
• P_RSTR：VDD 启动电阻的功耗。
• P_SB：总待机功耗。
• P_{SB_CONV}：P_SB与启动电阻和缓冲器损耗的差值。

11.1.1.1.8 电阻术语（以 Ω 为单位）

• R_CS：一次侧电流编程电阻。
• R_ESR：输出电容器的总 ESR。
• R_PL：转换器输出端的预载电阻。
• R_S1：高侧 VS 引脚电阻。
• R_S2：低侧 VS 引脚电阻。
• R_STR ：启动电阻。

11.1.1.1.9 时序术语（以秒为单位）

• T_D：包括晶体管关断延迟在内的电流感测延迟；添加 50ns 至晶体管延迟。
• T_DMAG(min)：二次侧整流器的最短导通时间。
• T_N(min)：晶体管的最短导通时间。
• t_R：断续导通模式 (DCM) 期间的谐振频率。
• t_ST：启动时间

11.1.1.1.10 电压术语（以伏特为单位）

• V_BLK：用于待机功耗测量的大容量电容最高电压。
• V_{BULK（最小值）}：满功率条件下 C_B1 和 C_B2 的最低电压。
• V_OCBC：输出引脚的目标电缆补偿电压。
• V_CBC(max)：最大转换器输出电流条件下 CBC 引脚的最大电压（请参见电气特性）。
• V_CCR：恒流调节电压（请参见电气特性）。
• V_CST(max)：CS 引脚的最大电流感测阈值（请参见电气特性）。
• V_CST(min)：CS 引脚的最小电流感测阈值（请参见电气特性）。
• V_DD(off)：UVLO 关断电压（请参见电气特性）。
• V_DD(on)：UVLO 导通电压（请参见电气特性）。
• V_OΔ：负载阶跃瞬态期间允许的输出压降。
• V_CPK：高压线条件下的晶体管集电极到发射极电压峰值
• V_F：电流接近零时的二次侧整流器正向压降。
• V_FA：辅助整流器正向压降。
• V_LK：估计的漏感能量复位电压。
• V_OCV：经稳压的转换器输出电压。
• V_OCC：恒流稳压条件下的最低目标转换器输出电压。
• V_REV：二次侧整流器的峰值反向电压。
• V_RIPPLE：满载条件下的输出峰峰值纹波电压。
• V_VSR：VS 输入端的 CV 调节电平（请参见电气特性）。

11.1.1.1.11 交流电压术语（以 V_RMS 为单位）

• V_IN(max)：转换器的最大输入电压。
• V_IN(min)：转换器的最小输入电压。
• V_IN(min)：转换器的输入启动（运行）电压。

11.1.1.1.12 效率术语

• η_SB：无载条件下估算的转换器效率，其中不包括启动电阻或偏置损耗。η_SB：对于一个 5V USB 充电器应用，60％ 到 65％ 是一个很好的初步估算值。
• η：转换器总体效率。
• η_XFMR：变压器一次侧与二次侧之间的功率传输效率。