ZHCSQD7 December   2023 UCC28750

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议工作条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 时序要求
    8. 6.8 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 详细引脚说明
      1. 7.3.1 VDD - 输入偏置
      2. 7.3.2 DRV - 栅极驱动输出
      3. 7.3.3 CS - 电流检测
      4. 7.3.4 FB - 反馈
      5. 7.3.5 FLT - 故障
      6. 7.3.6 GND - 接地回路
    4. 7.4 特性说明
      1. 7.4.1 软启动
      2. 7.4.2 控制律
      3. 7.4.3 频率抖动
      4. 7.4.4 故障保护
        1. 7.4.4.1 VDD 过压和欠压锁定
        2. 7.4.4.2 内部过温保护
        3. 7.4.4.3 输出过功率保护
        4. 7.4.4.4 输出短路保护
        5. 7.4.4.5 FLT 引脚保护
      5. 7.4.5 斜率补偿
    5. 7.5 器件功能模式
      1. 7.5.1 关闭
      2. 7.5.2 启动
      3. 7.5.3 开启
      4. 7.5.4 故障
      5. 7.5.5 禁用
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 应用
      2. 8.2.2 设计要求
      3. 8.2.3 详细设计过程
        1. 8.2.3.1 输入大容量电容及最小体电压
        2. 8.2.3.2 变压器匝数比和电感
        3. 8.2.3.3 电流检测和斜率补偿网络
        4. 8.2.3.4 输出电容器
        5. 8.2.3.5 VDD 电容,CVDD
      4. 8.2.4 应用性能曲线图
        1. 8.2.4.1 启动
        2. 8.2.4.2 负载瞬态
        3. 8.2.4.3 Q1 漏极电压评估
      5. 8.2.5 该做什么和不该做什么
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

引脚配置和功能

GUID-20230124-SS0I-KMGJ-FHLR-GGJDDVDLSL8J-low.svg图 5-1 DBV 封装(6 引脚)俯视图
表 5-1 引脚说明
引脚类型(1)说明
名称编号
GND 1 G 控制器的接地回路。使用低阻抗路径将该引脚连接到转换器的初级侧接地端。
FB 2 I 具有内部直流偏置的电压反馈引脚。通常,将该引脚连接到光耦合器器件的集电极,以从转换器次级侧提供隔离式电压反馈。
FLT 3 I 故障检测引脚。通过在该引脚和 GND 之间连接一个 NTC 电阻器来实现过热保护。从整流后的辅助绕组电压连接一个电阻器或齐纳二极管也可以实现输出电压过压保护。通过在体电压与 FLT 引脚之间使用一个电阻分压器可以实现欠压检测。将该引脚拉至禁用阈值以下会禁用开关操作。
CS 4 I 电流检测和斜率补偿输入引脚。将此引脚连接到反激式功率 MOSFET 的源极引线和外部电流检测电阻。CS 引脚和功率 MOSFET 源极之间的可选串联电阻可用于调整控制器内部斜率补偿的幅度。
VDD 5 P 控制器的辅助电源引脚。通常将该引脚从反激式变压器连接到辅助偏置绕组的输出端,并从线路电压连接到电阻器网络,以便在启动时提供偏置。可以采用不违反器件引脚额定值的其他偏置方案。
DRV 6 O 低侧栅极驱动器输出经过优化,可驱动具有高达 300mA 峰值上拉和 500mA 峰值下拉能力的低成本硅 MOSFET。串联栅极电阻器可用于减缓 MOSFET 的导通和关断,从而控制高频 EMI。
I = 输入,O = 输出,I/O = 输入或输出,G = 接地,P = 电源。