ZHCSQD7 December   2023 UCC28750

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议工作条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 时序要求
    8. 6.8 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 详细引脚说明
      1. 7.3.1 VDD - 输入偏置
      2. 7.3.2 DRV - 栅极驱动输出
      3. 7.3.3 CS - 电流检测
      4. 7.3.4 FB - 反馈
      5. 7.3.5 FLT - 故障
      6. 7.3.6 GND - 接地回路
    4. 7.4 特性说明
      1. 7.4.1 软启动
      2. 7.4.2 控制律
      3. 7.4.3 频率抖动
      4. 7.4.4 故障保护
        1. 7.4.4.1 VDD 过压和欠压锁定
        2. 7.4.4.2 内部过温保护
        3. 7.4.4.3 输出过功率保护
        4. 7.4.4.4 输出短路保护
        5. 7.4.4.5 FLT 引脚保护
      5. 7.4.5 斜率补偿
    5. 7.5 器件功能模式
      1. 7.5.1 关闭
      2. 7.5.2 启动
      3. 7.5.3 开启
      4. 7.5.4 故障
      5. 7.5.5 禁用
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 应用
      2. 8.2.2 设计要求
      3. 8.2.3 详细设计过程
        1. 8.2.3.1 输入大容量电容及最小体电压
        2. 8.2.3.2 变压器匝数比和电感
        3. 8.2.3.3 电流检测和斜率补偿网络
        4. 8.2.3.4 输出电容器
        5. 8.2.3.5 VDD 电容,CVDD
      4. 8.2.4 应用性能曲线图
        1. 8.2.4.1 启动
        2. 8.2.4.2 负载瞬态
        3. 8.2.4.3 Q1 漏极电压评估
      5. 8.2.5 该做什么和不该做什么
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

VDD 电容,CVDD

VDD 上的电容需要在转换器的输出电压达到目标最小工作电压之前为器件提供工作电流。此时,辅助绕组可以维持到 UCC28750 的电压。输入 VDD 电容由控制器的导通电流和应用的输出电压上升时间决定。VDD 电容器必须能够将 VDD 引脚电压保持在 Vuvlo(off) (9V) 以上,直到反射到辅助绕组的输出电压可以接管作为控制器的初级偏置。

UCC28750 中的软启动功能不会在初始步骤中斜升到全功率,因此在方程式 27 中添加了保守的 2ms 时间,以帮助调整输入电容器的大小。

反激式设计中可以使用分离二极管和电容器网络来缩短初始启动时间,但器件的输入上仍然有一条大容量电容路径,如节 7.3.1 所示,并为了方便使用而在此处重复。

GUID-20230918-SS0I-MHHV-08QN-9G3P9DKDHDQD-low.svg图 8-3 与启动电阻器配合使用的分离二极管偏置方案

第一个电容 CVDD1 由启动电阻值和所需的开通时间决定。启动电阻值受到功率损耗和故障要求的限制,如节 7.5.4 所述。

如果设计的典型启动时间为一秒,并且具有在增加额外裕量后总电阻为 1.2MΩ 的启动电阻网络,得到的 CVDD1 值约为 6μF。最接近的标准值是 6.8μF。

CVDD2 很大程度上取决于输出电压上升时间和反馈环路估算值。这些参数可能会导致启动期间出现小幅过冲,尤其是在空载应用中。发生过冲时,如果反馈环路对 FB 引脚电压下拉足够大,以将控制律推入关断状态(图 7-9 中的“F”区域),则器件可以停止开关。

输出电压上升时间由假定功率将电容器从零伏充电至编程的输出电压而得出。在方程式 27 中添加“2ms”项是为了考虑器件的软启动在前两毫秒内没有输出全功率这一事实,如果不将这一情况添加到公式中,可能会导致低估输出电压上升时间。

方程式 27. t vo,rise = 1 2 C out × V out 2 P out,max + 2 ms

通常,交叉频率最初置为功率级开关频率的十分之一。该估算值可用于确定 CVDD2 的初始值。通过实验和测量,可以确定实际交叉频率。使用 节 8.2.3.4方程式 24 中的响应时间估算公式,可以通过针对 Vout 变换 方程式 27 并将 tresponse 估算值添加到时间项中来确定输出的过冲。然后,可以使用过冲值来确定过冲衰减回稳定状态所需的时间。

方程式 28. V out,overshoot = 2 × ( t vo,rise - 2 ms + t 响应 ) C out - V out
方程式 29. t decay = C out × V out,overshoot I load

方程式 29 依赖于输出负载。当输出负载接近零时,衰减时间会变长,因此 CVDD2 必须较大,才能承受衰减时间。如果反馈环路导致过大的过冲,则必须进行实验和测试来确定是否需要“虚拟负载”(放置在输出处的电阻器)来缩短衰减时间。

过冲降至稳态调节电平所需的时间使用基本电容器公式来计算。

方程式 30. C VDD2 = I 关闭 × t decay V UVLO,on - ( V UVLO,off + 1 V )

其中

  • IoffUCC28750 关断状态电流,通常为 350μA

在较宽范围的 tdecay(从 tvo,rise 和 tresponse 之和到最差情况下的一秒衰减时间)条件下,CVDD2 的范围可以是 15μF 至 70μF。